半导体制造工艺第3章清洗工艺.pptVIP

半导体制造工艺 第3章　清 洗 工 艺 第3章　清 洗 工 艺 3.1　引言3.2　污染物杂质的分类3.3　清洗方法概况3.4　常用清洗设备——超声波清洗设备3.5　质量控制 3.1　引言 表3-1　国际半导体技术指南——清洗技术 3.1　引言 表3-1　国际半导体技术指南——清洗技术 3.2　污染物杂质的分类 表3-2　各种沾污的来源和相对的影响 3.2　污染物杂质的分类 3.2.1　颗粒 　　颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。通常都是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。这些颗粒一旦粘附在硅表面，则会影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。 3.2　污染物杂质的分类 3.2.2　有机残余物 　　有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂、光刻胶、清洗溶剂等，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响，通常会在晶圆表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶圆表面，会使硅片表面无法得到彻底的清洗。因此有机残余物的去除常常在清洗工序的第一步进行。 3.2　污染物杂质的分类 3.2.3　金属污染物 　　IC制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、刻蚀的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学气相沉积（CVD）形成金属互连膜，如Al?Si，Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光（CMP）。这个过程对IC制程也是一个潜在的沾污过程，在形成金属互连的同时，产生的各种金属沾污会影响器件性能，如在界面形成缺陷，在后续的氧化或外延工艺中引入层错，PN结漏电，减少少数载流子的寿命。除此以外，在整个晶圆的工艺制备过程中，所用的气体、化学试剂、器皿、去离子水的纯度不够、设备本身的沾污以及操作人员所携带的金属离子等都会对IC引入一些可动离子沾污，这些离子大部分都是金属离子，并且人是最大的引入源。 3.2　污染物杂质的分类 1)通过金属离子和硅衬底表面的氢原子之间的电荷交换直接结合到硅表面，这种类型的杂质很难通过湿法清洗工艺去除，这类金属常是贵金属离子，如金(AU)，由于它的负电性比Si高，有从硅中取出电子中和的趋向，并沉积在硅表面。2)金属沉积的第二种机理是在氧化时发生的，当硅在氧化时，像Al、Cr和Fe等有氧化的趋向，并会进入氧化层中，这种金属杂质可通过在稀释的HF中去除氧化层而去除。 3.2　污染物杂质的分类 3.2.4　需要去除的氧化层 　　硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层。该层氧化物不是所需要存在的氧化层，它会阻止晶圆表面在其他的工艺过程中发生正常的反应，它可成为绝缘体，从而阻挡晶圆表面与导电的金属层之间良好的电性接触，同时为了确保栅极氧化层的品质，晶圆如果经过其他工艺操作或者经过清洗后（由于过氧化氢的强氧化力，在晶圆表面上会生成一层化学氧化层），此表面氧化层必须去除。另外，在IC制程中采用化学气相沉积法（CVD）沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择地去除。 3.3　清洗方法概况 表3-3　硅片湿法清洗化学品 表3-3　硅片湿法清洗化学品 3.3　清洗方法概况 3.3.1　RCA清洗 　　工业中标准的湿法清洗工艺称为RCA清洗工艺，是由美国无线电公司（RCA）的W．Kern和D．Puotinen于1970年提出的，主要由过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液（SC?1）以及由过氧化氢和酸组成的2号标准清洗液（SC?2）进行一系列有序的清洗。RCA清洗工艺技术的特点在于按照应该被清除的污染物种类选用相应的清洗药水，按照顺序进行不同的药水的清洗工艺，就可以清除掉所有附着在硅圆片上的各种污染物。需要注意的是，每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗，去除残余成分，以免污染下一步清洗工序。典型的硅片湿法清洗流程如图3?1所示。实际的顺序有一些变化，应根据实际情况做相应调整以及增加某些HF/H2O（DHF）去氧化层步骤。 3.3　清洗方法概况 图3-1　典型的硅片湿法清洗流程 3.3　清洗方法概况 1)第一步是去除有机物和金属，用到的试剂是H2SO4/H2O2(SPM)。 2)第二步是去除颗粒，一般用NH4OH/H2O2/H2O(APM)1号标准清洗液(SC-1)。3)第三步是去除金属，一般用HCl/H2O2/H2O(HPM)2号标准液(SC-2)。4)第四步是在旋转干燥器中进行离心干燥，并用低沸点的有机溶剂进一步置换干燥。 3.3　清洗方