高亮度InGaN基白光LED特性研究.pdf

第 21 卷第 5 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vol. 21 , No. 5 2002 年 10 月 J . Infrared Millim. Waves October ,2002 高亮度 In Ga N 基白光 L ED 特性研究 李忠辉 　丁晓民 　杨志坚 　于彤军 　张国义 (北京大学物理学院介观物理国家重点实验室 ,北京 ,1000871 ; 北京大学宽禁带半导体研究中心 ,北京 ,100871) 3 + (Φ ) 摘要 　利用自行研制的 In GaNGaN SQW 蓝光 L ED 芯片和 YA G: Ge 荧光粉制作了高亮度白光 L ED 3 ,并对 其发光强度、色度坐标、IV 、色温及显色性等特性进行了研究. 实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 20mA 时 , 白光 ( ) L ED 的轴向发光强度为 11～2 3cd ,正向电压小于 35V ,色度坐标为 0 28 ,0 34 ,显色指数约为 70. 关键词 　光源、In GaN 、YA G、白光L ED. CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS In Ga NBASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES L I ZhongHui1 ,2) 　DIN G XiaoMin1) 　YAN G ZhiJian1) 　YU TongJ un1) 　ZHAN G GuoYi 1) (1) State Key Lab for Mesoscopic Physics , School of Physics of Peking University , Beijin g 100871 , China ; 2) Research Center for Wide Bandgap Semiconductor of Peking University , Beijin g 100871 , China) (Φ ) Abstract 　High brightness white light emitting diodes 3 were fabricated by using the selfproduced In GaNGaN blue 3 + L ED chip and YA G: Ce fluorescence. The luminous intensity , chromaticity coordinate , IV , color temperature and color rendering index were studied. The experiment result shows that in room temperature , at forward current 20mA , lu minous intensity of the white L ED is from 1. 1cd to