第4章IC工艺之离子注入.pptVIP

热退 P107 等时退火 Isochronal Annealing 等温退火 Isothermal Annealing 1）激活率(成活率)（%） Si：P、B?100%，As ?50% 2）临界通量?C(cm-2) F4.16 与注入离子种类、大小，能量有关 与注入时的衬底温度有关 3）退火后的杂质再分布（P。111） 4）退火方式：“慢退火”，快速热退火 分步退火 5）退火完成的指标：电阻率、迁移率、少子寿命 4.4.离子注入工艺中的一些问题 1。离子源：汽化?高压电离 多价问题 分子态—原子态问题 （产额问题） 2。选择性掺杂的掩膜 SiO2、Si3N4、光刻胶、各种金属膜 P离子注入 Si SiO2 Si3N4 E (keV) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) 10 0.014 0.007 0.011 0.005 0.008 0.004 20 0.025 0.012 0.020 0.008 0.015 0.006 50 0.061 0.025 0.049 0.019 0.038 0.014 100 0.124 0.046 0.100 0.033 0.077 0.026 有掩膜时的注入杂质分布 ？ Controlling Dopant Concentration and Depth a) Low dopant concentration (n–, p–) and shallow junction (xj) Mask Mask Silicon substrate xj Low energy Low dose Fast scan speed Beam scan Dopant ions Ion implanter b) High dopant concentration (n+, p+) and deep junction (xj) Beam scan High energy High dose Slow scan speed Mask Mask Silicon substrate xj Ion implanter Figure 17.5 3。遮挡(注入阴影效应Implant Shadowing)（P119） 4. 硅片充电 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Ion beam Electron Shower for Wafer Charging Control Adapted from Eaton NV10 ion implanter, circa 1983 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Ion beam -Biased aperture Electron gun Secondary electron target Secondary electrons +Ion - electron recombination Wafer Figure 17.23 一次电子(几百eV) 二次电子(20eV) 不能有高能电子! Plasma Flood to Control Wafer Charging -Biased aperture Ion beam Neutralized atoms Wafer scan direction Current (dose) monitor Plasma electron flood chamber Argon gas inlet Electron emission Chamber wall + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + S N S N + + + + + + + + Ar Ar Ar 高能 离子注入设计 掩蔽膜的形成 离子注入 退 火 测 试 Trim分布、掩蔽膜设计、离子源 氧化膜、Si3N4膜、光刻和光刻胶 衬底温度、能量、注量 温度、时间（多步快速热退火） 激活率、残留缺陷、注入层寿命、注入离子再分布（方块电阻、结深）、I-V和C-V特性 离子注入工艺流程 4.5.离子注入工艺的应用 1。掺杂（P。115） 2。浅结形成（Shallow Junction Formation, p116) 3。埋层介质膜的形