第三章实验结果与讨论-HMLT低温高磁实验室.docVIP

第三章 實驗結果與討論 本章將呈現前面章節所描述的二維系統樣品(請見本文2.1)，在經由變溫霍爾效應量測、DC磁傳輸性質量測與高頻磁傳輸特性量測所得到的數據結果，並加以分析討論。 3.1變溫霍爾效應量測與討論 變溫霍爾效應量測實驗主要是經由前述實驗量測裝置(請見本文2.3.1)可得到待測樣品在10~300K的溫度範圍內，對外加垂直於樣品表面磁場(0~1T)下的縱向電壓(Vxx)與霍爾電壓(Vxy)，並經換算後可得到縱向電阻(Rxx)與霍爾電阻(Rxy)，最後即可得到待測樣品在個別溫度下的二維載子濃度與載子移動率(μ)。 GaAs/AlGaAs (Mbe6-102) 此霍爾效應量測樣品的處理是在一長方形樣品(1×1.6mm2)邊緣製作歐姆接點。我們可由下式(3.1)及式(3.2)得到不同溫度下待測樣品的二維載子濃度與移動率[1] (3.1) (3.2) 其中e為基本電荷量，而為霍爾電阻對磁場強度的斜率。另外，我們將此待測樣品視作Hall bar pattern進行量測，其相對應的Hall bar pattern尺寸分別為W=1mm , L=0.8mm，而對於縱向電阻率與霍爾電阻率的計算方式為[2]