中国工程热物理学会传热传质学-纳米传热试验室.PDFVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：153092 单层二硫化钼电输运性质的模拟计算 1 1* 1 1，2* 金泽林 方海生 定志东 杨诺 1 华中科技大学能源与动力工程学院，武汉，430074 2 华中科技大学煤燃烧国家重点实验室，武汉，430074 （方海生hafang@hust.edu.cn ；杨诺 nuo@hust.edu.cn ） 摘要：由于具有窄带半导体特性，单层二硫化钼（SLMoS ）成为一种备受关注的新型的准二维材料。本 2 文通过理论计算的方法研究了单层 MoS2 的热电性质。通过密度泛函（DFT ）计算，确定了单层 MoS2 的 能带结构，电子输运性质，得到了塞贝克系数，电导率和电子对热导率的贡献值。综合以上计算，从理 论上得到了单层 MoS2 的电导率和塞贝克系数，并计算了其电输运性质随温度的变化。研究发现，单层 MoS2 的功率因子较高，并随温度升高而变大，对比发现，单层 MoS2 具有较大的热电应用潜力。因此可 以通过引入声子工程来调控其热导率，来提高单层MoS2 的热电应用。 关键词：单层二硫化钼，电导率，塞贝克系数，功率因子，密度泛函 0 引言 化石能源大规模利用和环境污染限制人类社会的进一步发展。在应对这一全球化危机 中，环境友好型的资源得到了广泛关注，节能减排和新能源的开发利用是目前缓解这一危 机的有效的措施。热电器件能够回收低品位的废热，直接转化为电能，同时没有额外消 耗，并且热电模块具有高可靠性和稳定性，在运行过程中没有运动部件，不产生噪音，因 此在新能源利用中具有特别的优势。在这样的大背景下，原本在特殊场合应用的热电器件 [1-7] 得到了广泛关注 。 在热电器件的应用分析中，描述其性能的一个重要参数是热电优值(ZT) ，表达式如 下： 2 ZT  S T /(  ) (1) latt elec  其中 是塞贝克系数， 是电导率， 分别是晶格热导率和电子热导率，其中分子 S  , latt elec 中的主要部分 2 ，即功率因子，是由电学性质决定的。要提高热电器件的能量转换效 S  率，需要提高ZT 值。通过计算分析，当热电器件的ZT 值达到3 时，热电器件才能和传统 机械相互竞争。通过 ZT 的表达式可知，提高热电优值可以通过提高热电器件的塞贝克系 数或者电导率，或者降低其热导率。为了提高热电优值，研究人员提出了各种方法，最重 [8] [9] 要几种方法分别是：电子晶体-声子玻璃（electron crystal phonon glass ） ,低维材料 ，声 [10] 子工程 。其中电子晶体-声子玻璃主要是保证材料中电子传输，同时抑制声子传热，达 到提高热电优值的目的。低维材料的热电潜力自从 Dresselhaus M. S.发现以来，得到了极 大的关注[11; 12] 。在低维体系中，材料的态密度能够集聚在一些小的范围内，这种态密度的 基金项目：国家自然科学基金资助项目 （方海生514760