射频通信电路 - 清华 part7.ppt

* 第四章 微波振荡器 §4.1 微波晶体管振荡器 §4.2 雪崩渡越时间二极管 §4.3 体效应二极管(Gunn－耿氏管) §4.4 负阻振荡器的一般理论 §4.5 负阻振荡器电路 §4.6 振荡器的频率稳定问题 类别： 三极管 器件 BJT--1 ~ 3GHz，近载频 1/f 噪声小 FET-- 2 ~ 40GHz，噪声略高 HBT-- 2 ~ 40GHz，低相位噪声器件 电路 介质稳频振荡器：简单、稳频，窄频带 分频锁相振荡器：高稳定、较宽调谐 宽带可调振荡器 二极管 雪崩二极管：毫米波波段、瓦级功率、噪声大、 可作噪声源 体效应二极管：毫米波波段、百毫瓦级功率、 噪声较小 真空器件 速调管、返波管、回旋管、磁控管、行波管 一、反馈振荡器 起振条件： 振荡平衡条件： §4.1.1 振荡条件 §4.1 微波晶体管振荡器 先按功放进行开环设计和调整 再加正反馈电路 (假设两个端口都匹配。) 二、负阻振荡器 起振条件： 两种振荡器的基本规律： 1. 起振条件取决于小信号S参数 2. 稳定条件取决于大信号S参数 3. 振荡频率接近起振时频率 4. 温度效应通常是频率下滑 振荡平衡条件 概念：利用管内反馈构成振荡。 或 或 §4.1.2 介质振荡器 (书§1.9.4) 介质谐振器：低损耗、高介电常数、高Q值、对温度变化稳定、几何形状规则的陶瓷材料 谐振模式 介电常数高 ?r = 40, 80, 100 品质因数高 Q?10000 f = 4GHz 尺寸小 容易加工 温度系数可以控制 0, ? 2, ? 4, …., ? 10 ppm / 0C 下标：0-- ?方向电场均匀分布 1-- r方向电场?/2分布 ?-- 在高度方向上远小于 ?/2，稍有不均匀分布 介质谐振器特性 微带电路中的安装 频率调节 介质振荡器基本电路 调节介质谐振器位置可以调节反馈相位和反馈量 由于介质谐振器Q值高，只在其中心频率上有反馈振荡，所以振荡频率稳定性高 §4.2 雪崩渡越时间二极管 (IMPact Avalanche Transit Time---IMPATT) 外加直流反向电压时 1) P+N结：结的交界面电场最大，空间电荷占满N区 2) P+和N+区：高载流子浓度区，无压降 3) I区(本征区)：杂质浓度极低，高阻区，电场均匀分布 雪崩机理： 1. 载流子被高电场加速 2. 与原子碰撞，产生电离，生成电子和空穴 3. 新电子、空穴向两极运动，再被加速、再碰撞电离，并呈雪崩式迅速发展，称为雪崩倍增过程 4. 空穴穿过P+区到阴极，电子经I区漂移到阳极，形成雪崩电流 当外加反向电压足够高时，在P＋N界面附近的电场强度超过EB (=105V/cm)，产生雪崩 振荡产生： 加外电路。在直流偏压V0=VB上叠加小的交流电压。过程： 1. tt1时，交流正半周v VB ，雪崩电流指数增长 2. t1tt2，已产生的电子、空穴继续碰撞电离，继续增长 3. t2tt3 ， v VB，ia指数下降，形成落后于v四分之一周期即 ?/2的雪崩电子流ia尖脉冲 4. ia脉冲以饱和速度vs(107cm/s)在I层向阳极漂移 5. 只要雪崩电子流中的电子(电荷-Q) 刚进入I层，阳极就开始有感应电流，漂移过程中QA ?，QB ?，ie持续到-Q 到达阳极，电流是dQB/dt，持续时间为渡越时间 ? ，故ie为矩形脉冲。 渡越时间：? =W/vs 渡越角：? = ?? 感应电流基波成分 ie1(t)与雪崩电子流基波成分 ia1(t)的关系： Ie1落后Ia1 ?/2，Ia1落后v ?/2 雪崩电子流的基波比脉冲电子流时间滞后? /2，相位滞后? /2 渡越时间 渡越角 结果： Ie1落后Ia1 ?/2，Ia1落后V ?/2 呈现负阻，产生自激振荡 时都有负阻分量、都有振荡。 外加调谐回路可以调整