第1 章 半导体特性、二极管 ok.pptVIP

温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降UF(UD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。这些可以从图01.13所示 二极管的伏安特性曲线上看出。 二极管的温度特性 图 01.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 半导体二极管图片 半导体二极管图片 * 1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管 1.1.1 本征半导体及其导电性 1.1.2 杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1.1 半导体的特性 (1)本征半导体的共价键结构 (2)电子空穴对 (3)空穴的移动 1.1.1 本征半导体及其导电性 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 在硅和锗晶体中，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 （1）本征半导体的共价键结构 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 （2）电子空穴对 当半导体处于热力学温度0K时，半导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱共价键的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 本征激发和复合的过程（动画1-1） (3) 空穴运动 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 （动画1-2） 空穴在晶格中的移动 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 1.1.2 杂质半导体 (1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个硅原子组成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易成为自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 五价杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。 图01.04 N型半导体结构示意图 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，所以三价杂质起着接受 电子的作用，因而也称为受主原子。 图01.05 P型半导体的结构示意图 图01.05 P型半导体的结构示意图 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 在杂质半导体中： 杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构， 多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度； 而少数载流子的浓度