溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层与ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．16(2015) 168501 溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为 有源层的高迁移率薄膜晶体管术 朱乐永 )2) 高娅娜2) 张建华2) 李喜峰2)十 1)(上海大学材料科学与工程学院，上海 200072) 2)(上海大学，新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海 200072) (2015年1月6日收到；2015年4月25日收到修改稿) 采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪Hf02薄膜，经500。C退火后，获得了高透过率、表面光滑、低漏 电流 和相对高介电常数的HfO2薄膜．并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶 接触结构薄膜晶体管器件．获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100am2．V_。．S_。，阈值电压为 一0．5V， 开关比为5×10。，亚阈值摆幅为105mV／decade．表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率，其 迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率． 关键词：薄膜晶体管，氧化铪，锌铟锡氧化物，场效应迁移率 PACS：85．30．Tv，81．05．Gc，77．22．Ch DOI：10．7498／aps．64．168501 以和低温多晶硅相比拟 [11]，因此相对其他氧化物 1 引 言 半导体是非常有潜在价值的半导体材料．尽管近年 来人们对Hf02和ZITO做了相关研究．但是，大多 以高介电常数fk)材料为绝缘层的氧化物薄膜 采用真空工艺制备，和真空法相 比，溶液法具有成 晶体管具有阈值 电压低、亚阈值摆幅小和迁移率 本低、方法简单和适合大规模生产的优点[121l3】．据 高等特点．这是因为高k材料不但能够通过增加绝 我们所知，目前为止还没有关于同时使用溶胶凝胶 缘层厚度的方式防止电子遂穿，并且同时能提供高 法制备HfO2和ZITO薄膜作为TFT器件绝缘层和 的单位 电容值 [1]_因此，很多高 氧化物材料，比 有源层的研究．基于此，本文采用溶液法制备Hf02 如HfO2，Y2O3，ZrO2，A12O3等被应用在薄膜晶体 薄膜，然后在此基础上采用底栅顶接触结构成功制 管中来减少漏 电流 [2-6】．其中HfO2同时具有高的 各了ZITO—TFT器件，并研究了其电学性能． 相对介电常数(20—25)、较宽的禁带(5．8eV)，低的 界面态密度和 良好的电学稳定性等优点 【，引，因而 引起 了广泛关注．Khairnar和MahajanI9]用磁控 2 实 验 溅射法制备并研究了HfO2薄膜 的结构和 电学性 2．1 溶液配制 能；Son等 1【0]使用磁控溅射法制备HfO2薄膜并和 InGaZnO一起制备薄膜 晶体管 (TFT)器件，获得 本文采用溶胶凝胶法制备HfO2薄膜和ZITO 了 良好的器件性能．同时，锌铟锡氧化物 (ZITO)由 薄膜分别作为TFT器件的绝缘层和有源层．将八 于具有很高的载流子迁移率，利用它做成的TFT