效率为121的cu(in,ga)se2薄膜太阳电池.pdf

维普资讯 第 25卷 第6期 太 阳 能 学 报 Vo1．25．No．6 2004年 l2月 ACTAENERGIAES0LARISSINICA Dec．．2004 文章编号：0254-0096(20O4)06-0782-03 效率为 12．1％的Cu(In，Ga)Se2薄膜太阳电池 何 青，孙 云，李凤岩，敖建平，刘芳芳，李 伟，刘维一， 孙国忠，周志强，薛玉明，朴英美，汲明亮，郑贵波，李长健， (南开大学光电子研究所，天津300071) 摘 要：利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物cu(In，Ga)Se：(CIGS)薄膜，并采用 Mo／CIGS／CdS／ZnO 结构为基础做出转换效率超过 10％的薄膜太阳电池，其最高转换效率达到 12．1％(测试条件为：AM1．5，Global lO00W／m )。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较，分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和 物理方面存在的问题。 关键词：CIGS薄膜；太阳电池；转换效率 中图分类号：TM615 文献标识码：A 左右的In和Ga，蒸发时间大约控制在 15～20min， 0 前 言 衬底温度为360～400~C；第二步蒸 Cu，蒸发时间 作为清洁能源的太阳电池已经逐渐受到世界各 约在25～30rain内，衬底温度为540~C；第三步蒸 国的重视，其发展方向是获得高效、低成本的太阳 发剩余的1O％的In和Ga，蒸发时间约5min，衬底 电池。为此广大科技工作者把 目光瞄准了薄膜太阳 温度仍保持在540~C左右；整个蒸发过程一直在 Se 电池，而Cu(In，Ga)Se(简称CIGS)薄膜太阳电池 气氛中进行，Se源温度为210～230~C左右。此外， 由于其廉价、高效、性能稳定和较强的抗辐射能力 工艺中要特别注意衬底温度和Ga浓度的调控，保 而得到各国光伏界的重视，成为其 中的佼佼者。 证 Ga与Ga+In之 比要在2O％～3O％之间。 CIGS是一种四元化合半导体薄膜，其禁带宽度可 过渡层CdS采用化学水浴法(CBD)制备，厚 在 1．04～1．67eV之间由其中的Ga含量调整，来 度约为50nm。窗口层为双层ZnO膜，第一层为高 获得梯度带隙结构，从而与太阳光谱得到最佳匹 阻层，用中频磁控溅射纯ZnO靶制成；第二层为 配，使光电转换效率得到提高。目前CIGS薄膜太 低阻层，用ZnO：AI靶，直流磁控溅射法制成；两 阳电池的转换效率已经达到 19．2％-lJ，是各类薄 层厚度分别为8ooA和8oooA左右。最后真空蒸发 膜太阳电池的最高者。 Ni／AI栅电极。电池具体结构如图1所示。 本文报道了用共蒸发的三步法制备Cu(In，Ga) se薄膜和以M0／cIGs／cdS／znO结构为基础制作异 8000An—ZnO层 质结太阳电池，并获得了高达 12．1％的转换效率。 800Ai-ZnO层 5ooACdS 1 CIGS薄膜和太阳电池的制备 21t．m CIGS层 1．2llm Mo层