氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用 effects of siox in the improvement of bjt characteristics.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用 effects of siox in the improvement of bjt characteristics.pdf

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氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用 effects of siox in the improvement of bjt characteristics

器件制造鸟应闭 ofDevicc M如u岛ctI】血g柚dApplic鲥0n 氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用王友彬，汪辉 (上海交通大学微电子学院，200030) 摘要：提出了一种改善npn和横向pnp晶体管放大倍数、扩散致窄电阻(受EB和CB结结深影响的基区电阻)阻值而又不影响其他器件特性的方法。不连续的siO。可以作为宽禁带半导体材料加在多晶硅和单晶硅的界面处来提高横向pnp晶体管的放大倍数，使其从目前的23提高到 30；连续的si0。作为优秀的绝缘材料覆盖在发射极多晶硅表面，可以确保As在快速热处理后的分布，结果表明npn型晶体管的放大倍数从170降低到110的同时增加了扩散致窄电阻的阻值。这种方法的优点在于利用了极易制造的SiO。改善了半导体器件特性，具有极高的实际应用价值。关键词：氧化硅，双极型晶体管，放大倍数中图分类号：TN79文献标识码：A 文章编号：1003—353x(2008)2．0144．03 Effectsof inthe of Characteristics BJT SiOz ImproVement Hui WangYoubin，Wang (sckoz妒舰roek￡rDn泐，s地哪di^∞乃增‰觇脂嘶，s地增^反200030，吼；M) Abstract：A to the of andlateraltransistorswas Valueof wayirnPr0Vegainnpn pnp presented，thepinch baseI℃sistor EBand noinnuenceonotherdevices．Non·continuous I．esistor(a CB a(1justedby junction)has awideband insertedbetweenbase andSito the of material，was siO。， g印seIIliconductor poly i瑚provegain lateral is from23to lateral resultsshow￡hat enh跚ced 30．Continuousexcellem gain Si0；，an pnp，and pnp insulationmaterial，wasaddedtothesu—’aceofeIIlittertoensurethedistributionofAsafteranneal，and resultsshowthatthe of isreducedf而m170to110and resistorV越ueisincreased．‘rhe gain npn pinch ofthismethodisthatitusesthe madeHlaterialto thedeVice it advantage easily SiOximprove characteristics， has Vdue。 highp