电离辐射探测学-南京航空航天大学.PDF

南京航空航天大学 2017 年硕士研究生入学考试初试试题 （ A 卷 ） 科目代码: 868 满分: 150 分 科目名称: 电离辐射探测学 注意: ①认真阅读答题纸上的注意事项；②所有答案必须写在答题纸上，写在本试题纸或草稿纸上均无 效；③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回！ 一、选择题 （每题5 分，共 20 分） 1. 闪烁探测器中的闪烁体，在探测电离辐射时发光是因为 (1). 电离辐射使闪烁体电离而产生的 (2). 电离辐射使闪烁体的电子激发和退激发而产生的 (3). 电离辐射使闪烁体的电子和空穴的漂移而产生的 (4). 电子的雪崩现象。 2. 半导体探测器探测射线时，射线沉积在耗尽区的能量将激发产生 (1). 电子-离子对； (2). 电子-光子 (3). 光电子； (4). 电子-空穴对 3. γ射线能谱上的单逃逸峰是由 (1). 一个电子逃逸造成的； (2). 一个正电子逃逸造成的； (3). 一个湮灭光子的逃逸造成的； 科目代码：868 科目名称：电离辐射探测学 第1 页 共4 页 (4). . 一对湮灭光子的逃逸造成的。 4. 造成γ射线能谱上的反散射峰的原因是 (1). 探测器晶体中康普顿反散射； (2). 探测器周围材料中康普顿反散射； (3). 探测器周围材料中湮灭光子； (4). 探测器晶体中的多次康普顿散射 二、简答题（每题 6 分，共 30 分） 1. 周围材料对探测器的影响如下图所示，请画出探测器测得的能谱。 2. 如何测试正比计数器的正比性？ 3. 试述负电性气体杂质对三种气体探测器性能的影响。 4. 在γ能谱测量中，常在全能峰的右边（更高能量处）会出现一个或几个峰， 这些是什么峰？如何产生的？ 科目代码：868 科目名称：电离辐射探测学 第2 页 共4 页 5. 中子按照能量可分为哪几类？常用的中子探测方法有哪些？说明中子活化 分析法中活化的流程，并大致画出活化片中放射性核素的变化情况。 三、计算和分析题：（每题 20 分，共 100 分 1. 在一次放射性测量中，已知样品的计数率约 1000min-1 ，本底计数率约 250min-1。 如果要求测量误差≤1% ，测量样品和本底的时间各取多少？ 2. 已知 GM 管的分辨时间τ为 350μs ，测量得到的计数率为真实计数率的 1/2 ，请分别利用漏计数校正的两个模型，求出真实的计数率。 3. 一个平板型锗探测器，其本征区的厚度为 10 nm ，用一个脉冲发 生器输入脉冲到探测系统，得到等效的 FWHM 为 1.2 keV ，请估算探测 器-电子学系统测量 140 keV γ射线时的能量分辨率。（对于锗，在 77K 时， 平均电离能为 2.96eV ；法诺因子F 为 0.08 ） 4. 分析并画出圆柱体高纯锗探测器的载流子收集特性曲线。 n+ 层 ①②③ p+ 层 5. 某放射性核素衰变的γ谱（衰变纲图见插图），试分辨谱中各种峰，分别给 科目代码：868 科目名称：电离辐射探测学 第3 页 共4 页 出它们的名称。 科目代码：868 科目名称：电离辐射探测学 第4 页 共4 页