Al098Ga002As的湿法氧化规律JournalofSemiconductors.PDFVIP

第 26 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 1 2005 年 1 月 　　 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Jan. ,2005 Al0. 98 Ga0. 02 As 的湿法氧化规律 董立闽 　郭 　霞 　渠红伟 　杜金玉 　邹德恕 　廉 　鹏 　邓 　军 　徐遵图 　沈光地 (北京工业大学电子信息与控制工程学院 , 北京市光电子技术实验室 , 北京　100022) 摘要 : 为实现精确控制 VCSELs 器件中氧化孔的大小 ,对 Al0. 98 Ga0. 02As 的湿法氧化规律进行了分析研究. 首先运用 一维 DealGrove 模型分析了 Al0. 98 Ga0. 02As 条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当 的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合. 同时 ,实验 中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象. 运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 05μ m 内,基本实现了氧 化工艺的可控性及可重复性. 关键词 : VCSEL ; AlGaAs ; 湿法氧化 PACC : 8160C ; 4255P 　　　EEACC : 2550E ( ) 中图分类号: TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2005 1 　引言 2 　实验 近年来 ,AlAs/ AlGaAs 湿法氧化技术在垂直腔面 本实验样品由低压金属有机化学气相沉积(LP ( ) 发射激光器 VCSELs 中的应用日益普遍. 原因在于 MOCVD) 系统制备 ,样品生长结构如图 1 所示 ,在 n 利用此项技术形成的氧化孔可作为电流注入窗口 , (100) GaAs 衬底上生长 60nm 的pAl0. 98Ga0. 02As , 然 实现横向的电限制 ;且氧化孔中形成的绝缘氧化膜 后再覆盖 50nm 的pGaAs 层. 氧化前先通过光刻及 (Al O ) ( ) x y 的低折射率 约 15 ,可产生较大的折射率 化学腐蚀暴露要氧化的 Al0. 98 Ga0. 02As层的侧面 ,清 ( 差 ,实现横向的光限制 ; 同时 ,氧化使腔体积 或模式 洗后放入氧化炉内氧化. 湿法氧化实验装置如图 2 ) 体积 减小 ,提高了自发发射对激射模式的耦合 ,提 所示 ,主要由氧化炉、鼓泡器及氮气瓶三部分构成. 高了量子效率 ,从而可获得极低阈值电流/ 电压和较 氧化时 ,流量为 1L/ min 的N2 经过鼓泡器携带 95 ℃ 高的功率转换效率 , 极大改善了 VCSELs 器件的特 水汽通入 400～500 ℃高温的氧化炉中对样品进行侧 性[1 ] . 目前,AlAs/ AlGaAs 湿法氧化技术越来越多地