椭偏仪测薄膜参数实验讲义.docVIP

实验十四 椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率 实 验目 的 (1) 了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理； (2)?初步掌握椭圆偏振仪的使用方法，并对薄膜厚度和折射率进行测量． 实 验原 理 椭偏法测量的基本思路是，起偏器产生的线偏振光经取向一定的１/４波片后成为特殊的椭圆偏振光，把它投射到待测样品表面时，只要起偏器取适当的透光方向，被待测样品表面反射出来的将是线偏振光．根据偏振光在反射前后的偏振状态变化，包括振幅和相位的变化，便可以确定样品表面的许多光学特性． 图1 光在薄膜中的多次反射和折射情况 图1所示为一光学均匀和各向同性的单层介质膜．它有两个平行的界面，通常，上部是折射率为n1的空气(或真空)．中间是一层厚度为d折射率为n2的介质薄膜，下层是折射率为n3的衬底，介质薄膜均匀地附在衬底上，当一束光射到膜面上时，在界面1和界面2上形成多次反射和折射，并且各反射光和折射光分别产生多光束干涉．其干涉结果反映了膜的光学特性． 设φ1表示光的入射角，φ2和φ3分别为在界面1和2上的折射角．根据折射定律有 n1sinφ1=n2sinφ2＝n3sinφ3 （1） 光波的电矢量可以分解成在入射面内振动的P分量和垂直于入射面振动的s分量．若用Eip和Eis分别代表入射光的p和s分量，用Erp及Ers分别代表各束反射光K0，K1，K2，…中电矢量的p分量之和及s分量之和，则膜对两个分量的总反射系数Rp和Rs定义为 RP＝Erp/Eip , Rs=Ers/Eis （2） 经计算可得 式中，r1p或r1s和r2p或r2s分别为p或s分量在界面1和界面2上一次反射的反射系数．2δ为任意相邻两束反射光之间的位相差．根据电磁场的麦克斯韦方程和边界条件，可以证明 r1p=tan(φ1-φ2)/ tan(φ1+φ2), r1s =-sin (φ1-φ2)/ sin(φ1+φ2)； r2p=tan(2-φ3)/tan(φ2+φ3), r2s =-sin (φ2-φ3)/ sin(φ2+φ3)． (4) ． (5) 式中，λ为真空中的波长，d和n2为介质膜的厚度和折射率． 在椭圆偏振法测量中，为了简便，通常引入另外两个物理量ψ和Δ来描述反射光偏振态的变化．它们与总反射系数的关系定义为 上式简称为椭偏方程，其中的ψ和Δ称为椭偏参数（由于具有角度量纲也称椭偏角）． 由式(1),式(4),式(5)和上式可以看出，参数ψ和Δ是n1，n2，n3，λ和d的函数．其中n1，n2，λ和φ1可以是已知量，如果能从实验中测出ψ和Δ的值，原则上就可以算出薄膜的折射率n2和厚度d．这就是椭圆偏振法测量的基本原理． 实际上，究竟ψ和Δ的具体物理意义是什么，如何测出它们，以及测出后又如何得到n2和d，均须作进一步的讨论． 2　Δ的物理意义 ? 用复数形式表示入射光和反射光的p和s分量 Eip=|Eip|exp(iθip)， Eis=|Eis|exp(iθis)； Erp=|Erp|exp(iθrp) ， Ers=|Ers|exp(iθrs)． （6） 式中各绝对值为相应电矢量的振幅，各θ值为相应界面处的位相． 由式（6）,式（2）和式（7）式可以得到 ．　　　　 （7） 比较等式两端即可得 tanψ=|Erp||Eis|╱|Ers||Eip| （8） Δ=(θrp –θrs)- (θip –θis) （9） 　式（8）表明，参量ψ与反射前后p和s分量的振幅比有关．而（9）式表明，参量Δ与反射前后p和s分量的位相差有关．可见，ψ和Δ直接反映了光在反射前后偏振态的变化．一般规定，ψ和Δ的变化范围分别为0≤ψπ /2和0≤Δ2π． 当入射光为椭圆偏振光时，反射后一般为偏振态（指椭圆的形状和方位）发生了变化的椭圆偏振光(除开ψπ／4且Δ=0的情况)．为了能直接测得ψ和Δ，须将实验条件作某些限制以使问题简化．也就是要求入射光和反射光满足以下两个条件： （1）要求入射在膜面上的光为等幅椭圆偏振光（即P和S二分量的振幅相等）．这时，|Eip|/|Eis|=1,式（9）则简化为 tanψ=|Erp|/|Ers| ． （10）