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N掺杂MgZnO薄膜的p型导电稳定性研究
第 卷 第 期 液晶与显示
30 6
Vol.30 No.6
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
2015 12 Dec.2015
文章编号: ( )
1007G2780201506G0925G05
N掺杂M ZnO薄膜的 型导电稳定性研究
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∗
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高丽丽 李淞菲 曹天福 张 雪
( , )
北华大学 物理学院 吉林 吉林 132013
: , , ,
摘要 利用磁控溅射技术 以 为陶瓷靶材 制备了 掺杂 型 薄膜 薄膜的电阻率为
M Zn O N M Zn O 42.45
g p g
0.06 0.94 0.13 0.87
17 3 2 -1 -1
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Ω cm 载流子浓度为3.70×10 cm 迁移率为0.40cm V s 研究了该薄膜 型导电性质在室温空气下随时
p
. , , , , ,
间的变化情况 实验结果表明 薄膜的电阻率逐渐升高 载流子浓度降低 五个月以后 薄膜转变为 型导电 电阻率为
n
16 3 2 -1 -1
, / , . .
85.58Ω cm 载流子浓度为 4.53×10 cm 迁移率为 1.61cm V s 真空热退火后重新转变为 型 结果显
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, .
示 其 型导电类型的转变与在空气中吸附 或 等形成浅施主有关
p H O H
2 2
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