N掺杂MgZnO薄膜的p型导电稳定性研究.PDFVIP

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N掺杂MgZnO薄膜的p型导电稳定性研究

第 卷 第 期 液晶与显示 30   6    Vol.30 No.6              ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y 2015 12       Dec.2015 文章编号: ( ) 1007G2780201506G0925G05 N掺杂M ZnO薄膜的 型导电稳定性研究 g p ∗ , , , 高丽丽 李淞菲 曹天福 张 雪   ( , ) 北华大学 物理学院 吉林 吉林 132013 : , , , 摘要 利用磁控溅射技术 以 为陶瓷靶材 制备了 掺杂 型 薄膜 薄膜的电阻率为 M Zn O N M Zn O 42.45 g p g 0.06 0.94 0.13 0.87 17 3 2 -1 -1 , / , . Ω cm 载流子浓度为3.70×10 cm 迁移率为0.40cm V s 研究了该薄膜 型导电性质在室温空气下随时 p . , , , , , 间的变化情况 实验结果表明 薄膜的电阻率逐渐升高 载流子浓度降低 五个月以后 薄膜转变为 型导电 电阻率为 n 16 3 2 -1 -1 , / , . . 85.58Ω cm 载流子浓度为 4.53×10 cm 迁移率为 1.61cm V s 真空热退火后重新转变为 型 结果显 p , . 示 其 型导电类型的转变与在空气中吸附 或 等形成浅施主有关 p H O H 2 2 : ;

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