固体中的光跃迁过程练习及思考题.docVIP

固体中的光跃迁过程：练习与思考题 本课程中的下列概念： 绝热近似； 2）单电子近似； 3）电子组态； 4）联合态密度； 5）有效质量近似；6）光谱线的非均匀加宽；7）位形坐标模型；8）黄昆因子； 9）等电子联合中心；10）中心间非辐射（共振）能量传递；11）敏化与猝灭 下列过程的物理原因（相互作用）： 导带中离带底较远（能量较高）的电子很快弛予到带底附近； 固体中的分立中心处于位形坐标曲线上部（较高的晶格振动能），很快弛予到该曲线的底部； 中心间非辐射交叉弛予过程； 电子跃迁后的晶格弛豫过程。 推导电子带间直接和间接光跃迁的准动量守恒定则。 导出三维情形M2型临界点（鞍点）附近的联合态密度的行为，并图示其变化规律。 试就二维情形，讨论不同临界点附近的联合态密度。 对电子的带间间接跃迁（吸收一个光子，放出一个声子），试讨论主要的中间态 |β 及其对跃迁矩阵元的贡献。 求电子从价带跃迁到电离浅施主的吸收光谱(采用有效质量近似)，并求出它的光谱峰值位置(?ω)。 给出直接带材料带间辐射复合光谱的表达式。说明式中各因子的意义。 能带一定的宽度，为什么其光跃迁很锐的线谱？组态内，各能级间的光跃迁呈现为尖锐的谱线，而对晶体中的过度金属离子，与其自由离子的组态相应的各能级间的光跃迁有尖锐的线谱，也有宽的带谱。 证明孤立离子 推导施主受主对发射的光子能量与施主受主间距离的关系Franck-Condon近似。 在电－声子耦合的单频近似下，利用谐振子波函数，直接求 T=0 ?K时的谱形函数 WP，并求出此情形下的 和 ，分别说明它们的物理意义。 S很大时，谱形函数近似于高斯函数。求 T=0 ?K 时的谱带半高全宽度 (FWHM) ?hν。 能量供体D和能量受体A间存在非辐射共振能量传递(偶极－偶极相互作用)，如果实验上无法得到D的荧光光谱，试给出利用D的吸收光谱计算D与A之间能量传递几率PDA的表达式，并讨论这样的计算可能带来的误差。 推导电---声子相互作用较弱的同类离子间单声子协助非辐射能量传递几率的表达式。定性说明它们之间单声子协助非辐射能量传递几率很小的原因。 弱电---声子耦合、小能量失配情形，双声子协助的共振能量传递中，若只考虑线性(一阶)电声子相互作用，试列出所有可能的中间态(只考虑两个声子模)。 考虑孤立三能级中心系。如图所示，中心有两个激发能级e1和2。有关跃迁过程和相应的速率也标示在图中。 若P=0，求e1→g的荧光衰减规律； 若P≠0，导出n1(t) 满足的微分方程。 对右图所示的三能级中心系激发能级g和g相应的荧光寿命。并给出他们的温度依赖关系。 1）写出对由能量供体D和受体A组成的体系的微观荧光动力学方程。 2）弱激发条件的物理后果是什么？ 3）脉冲激发给体系动力学过程带来什么特点？ 考虑D和A组成的体系中，存在D→A和D→D的能量传递，在脉冲激发后，D的荧光衰减为 求受体A的荧光G(t); 导出G(t)上升到极大的时刻t满足的方程。 证明在只有一类中心的材料里，光学激发通过非辐射能量传递在中心间迁移，不影响观测到的这类中心的荧光寿命。 就图示仅有一类复合中心的简单情形（不考虑价带空穴），证明由导带电子与复合中心间的复合发光的衰减规律具有下列形式 能由上述规律求载子的平均寿命吗为什么 列举导致温度猝灭的各种物理原因，并简要说明之。 用两个不同的线性升温速率β1，β2，测得热释光峰值温度分别为T1m和T2m，试就一次规律情形推导用这些实验数据表示的陷阱深度的公式和频率常数的表达式。 设材料中有一种电子陷阱，一种发光中心，他们的深度（相对导带和价带）分别为和。有关跃迁过程和速率常数，假定。在直接激发发光中心的情形，讨论定态发光效率与温度的依赖关系。即在什么条件下，温度升高效率降低，什么条件下（指陷阱和发光中心的深度，以及温度须满足的条件），温度升高，效率增大。 试总结局域中心间相互作用导致的各种物理过程和现象。 *在恒定激发下，观察单个孤立中心（即一个单光子源）的发光 X P+