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《宽禁带半导体发光材料》3.2氮化物异质结构生长与掺杂技术
氮化物异质结构生长与掺杂技术
材料生长技术
薄膜外延生长原理
薄膜外延生长技术
薄膜应力
位错
氮化物多量子阱结构
半导体异质结构
极化效应
多量子阱结构设计
氮化物p型掺杂技术
薄膜生长
薄膜的生长过程:新相的成核与薄膜的生长两个阶段
成核阶段
在薄膜形成的最初阶段,一些气态的原子或分子开始凝聚到衬底上,
从而开始了所谓的形核阶段。由于热涨落的作用,原子到达衬底表面的最
初阶段,在衬底上成了均匀细小、而且可以运动的原子团(岛或核)。当
这些岛或核小于临界成核尺寸时,可能会消失也可能长大;而当它大于临
界成核尺寸时,就可能接受新的原子而逐渐长大。
薄膜生长阶段
一旦大于临界核心尺寸的小岛形成,它接受新的原子而逐渐长大,而
岛的数目则很快达到饱和。小岛像液珠一样互相合并而扩大,而空出的衬
底表面上又形成了新的岛。形成与合并的过程不断进行,直到孤立的小岛
之间相互连接成片,一些孤立的孔洞也逐渐被后沉积的原子所填充,最后
形成薄膜。
薄膜生长模式
岛状生长(Volmer-Weber)模式 :
被沉积物质的原子或分子更倾向于自己相互键合起来,而避免与衬底
原子键合,即被沉积物质与衬底之间的浸润性较差;金属在非金属衬底上
生长大都采取这种模式。对很多薄膜与衬底的组合来说,只要沉积温度足
够高,沉积的原子具有一定的扩散能力,薄膜的生长就表现为岛状生长模
式。
薄膜生长模式
层状生长(Frank-van der Merwe)模式:
当被沉积物质与衬底之间浸润性很好时 ,被沉积物质的原子更倾向
于与衬底原子键合。因此,薄膜从形核阶段开始即采取二维扩展模式,
沿衬底表面铺开。在随后的过程中薄膜生长将一直保持这种层状生长模
式。
薄膜生长模式
层状-岛状(Stranski-Krastanov)生长模式:
在层状-岛状中间生长模式中,在最开始一两个原子层厚度的层状生长
之后,生长模式转化为岛状模式。导致这种模式转变的物理机制比较复
杂,但根本的原因应该可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长
。
氮化物异质结构生长与掺杂技术
材料生长技术
薄膜外延生长原理
薄膜外延生长技术
薄膜应力
位错
氮化物多量子阱结构
半导体异质结构
极化效应
多量子阱结构设计
氮化物p型掺杂技术
两步法生长
由于GaN与蓝宝石晶格失配、热失配很大 ,直接在蓝宝石衬底上生长
高温GaN ,则呈现表面粗糙并晶体质量差。为了在蓝宝石衬底上生长
出表面平整的、高质量的GaN材料 ,就必须采用特殊的工艺过程 ,二
步生长法是目前GaN/蓝宝石MOCVD生长技术的一个典型工艺方法。
两步法生长:第一步生长低温缓冲层,具有高密度缺陷;第二步生长高
温外延层,缺陷被逐渐抑制,从而提高了外延膜的结晶质量。
两步法生长示意图
侧向外延生长
侧向外延技术是一种在部分加上掩模的衬底表面外延生长的方法 ,其
目的是减少晶体中的位错密度,提高晶体质量。在气相生长中 ,用
SiO 或SiN 制作掩膜,抑制反应物气流在掩膜上成核,只在窗口区内
2 x
生长。随后,外延层同时进行垂直生长和侧向外延。相邻窗口区内生
长的单晶材料相遇后,再经过一段时间的生长,可以得到连续平滑的
外延层。
侧向外延生长示意图
侧向外延生长
GaN 侧向外延生长过程中位错的减少主要通过两种机制,即位错的阻
断和位错的转向。
由于掩模层的存在,使得其下部GaN 衬底中的穿透位错终止于GaN 衬
底和介质膜间
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