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单晶硅中可能出现的各种缺陷分析 缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷： 　　点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。 　　线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而们可以通过电镜等来对其进行观测。 　　面缺陷：面缺陷经常发生在两个不同相的界面上，或者同一晶体内部不同晶畴之间。界面两边都是周期排列点阵结构，而在界面处则出现了格点的错位。我们可以用光学显微镜观察面缺陷。 　　体缺陷：所谓体缺陷，是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则，比如包裹体、气泡、空洞等。 　　一、点缺陷 　　点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。 　　1、空位、间隙原子 　　点缺陷包括热点缺陷（本征点缺陷）和杂质点缺陷（非本征点缺陷）。 　　1.1热点缺陷 　 　其中热点缺陷有两种基本形式：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有关。温度愈高，平衡浓度愈大。高温生长的硅单 晶，在冷却过程中过饱和的间隙原子和空位要消失，其消失的途径是：空位和间隙原子相遇使复合消失；扩散到晶体表面消失；或扩散到位错区消失并引起位错攀 移。间隙原子和空位目前尚无法观察。 　　1.2杂质点缺陷 　　A、替位杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子 　　B、间隙杂质点缺陷，如硅晶体中的氧等 　　1.3点缺陷之间相互作用 　　一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭（复合），两个空位形成双空位或空位团，间隙原子聚成团，热点缺陷和杂质点缺陷相互作用形成复杂的点缺陷复合体等。 　　2、微缺陷 　　2.1产生原因 　　如果晶体生长过程中冷却速度较快，饱和热点缺陷聚集或者他们与杂质的络合物凝聚而成间隙型位错环、位错环团及层错等。Cz硅单晶中的微缺陷，多数是各种形态的氧化物沉淀，它们是氧和碳等杂质，在晶体冷却过程中，通过均质成核和异质成核机理形成。 2.2微缺陷观察方法 　　1）择优化学腐蚀： 　　择优化学腐蚀后在横断面上呈均匀分布或组成各种形态的宏观漩涡花纹（漩涡缺陷）。宏观上，为一系列同心环或螺旋状的腐蚀图形，在显微镜下微缺陷的微观腐蚀形态为浅底腐蚀坑或腐蚀小丘（蝶形蚀坑）。在硅单晶的纵剖面上，微缺陷通常呈层状分布。 　　2）热氧化处理： 　　由于CZ硅单晶中的微缺陷，其应力场太小，往往需热氧化处理，使微缺陷缀饰长大或转化为氧化层错或小位错环后，才可用择优腐蚀方法显示。 　　3）扫描电子显微技术，X射线形貌技术，红外显微技术等方法。 　　2.3微缺陷结构 　　直拉单晶中微缺陷比较复杂。TEM观察到在原生直拉硅单晶中，存在着间隙位错环，位错团和小的堆跺层错等构成的微缺陷，以及板片状SiO2沉积物，退火Cz硅单晶中的微缺陷为体层错、氧沉淀物及沉淀物-位错-络合物等。 　 　Cz硅中的原生缺陷分别是根据不同的测量方法而命名，有三种：1.使用激光散射层析摄影仪检测到的红外(IR)散射中心(LSTD)；2.经一号清洗液 腐蚀后，在激光颗粒计数器下检测为微小颗粒的缺陷(COP)；3.流型缺陷(FPD)，它是在Secco腐蚀液择优腐蚀后，用光学显微镜观察到的形如楔形 或抛物线形的流动图样的缺陷，在其端部存在有很小的腐蚀坑。控制CZ硅单晶中原生缺陷的途径是选择合适的晶体生长参数和原生晶体的热历史。要调节的主要生 长参数是拉速、固液界面的轴向温度梯度G(r)(含合适的v/G(r)比值)、冷却速率等。另外通过适宜的退火处理可减少或消除原生缺陷。 　　二、线缺陷 　　位错：包括螺位错和刃位错 　　1、产生原因 　　1)籽晶中位错的延伸； 　　2)晶体生长过程中，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错； 　　3)温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。 　　2、位错形态及分布 　　1）择优化学腐蚀： 　　位错蚀坑在{100}面上呈方形，但其形态还与位错线走向、晶向偏离度、腐蚀剂种类、腐蚀时间、腐蚀液的温度等因素有关。 　　硅单晶横断面位错蚀坑的宏观分布可能组态： 　　A、位错均匀分布 　　B、位错排是位错蚀坑的某一边排列在一条直线上的一种位错组态，它是硅 　　单晶在应力作用下，位错滑移、增殖和堆积的结果。位错排沿110方向排列。 　　C、星形结构式由一系列位错排沿110方向密集排列而成的。在{100}面上星形结构呈井字形组态。 　　2）红外显微镜和X射线形貌技术 　　3、无位错硅晶体的生长 　　1）缩颈 　　2）调节热场，选择合理的晶体生长参数，维持稳定的固液界面形状 　　3）防止不溶固态颗粒落入固液界面 三、面缺陷 　　面缺陷主