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第33卷第4期 中 国 激 光 V01．33，No．4
2006年4月 CHINESE OFLASERS April，2006
JOURNAL
文章编号：0258—7025(2006)04一0549一03
自然掺杂及N—Al共掺杂zno薄膜的发光特性
傅广生1，孙 伟1，吕雪芹1，王春生1，尹志会1’2，于威1
(1河北大学物理科学与技术学院，河北保定071002；2衡水学院物理系，河北衡水053000)
摘要采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N—A1共掺杂Zn0薄膜，对两种不同类型掺杂薄膜的
低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明，二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征，自然掺
杂薄膜的光致发光谱在404．onm处出现了由于锌空位产生的近带边发光，N—Al共掺杂薄膜的光致发光谱在
383．o
nm处出现了N作为受主的施主一受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明，N—Al共掺杂
技术能够有效提高N的固溶度，N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主一受主对跃迁发光，表明该技术为实
现p型Zn0薄膜制备的有效方法。
关键词 薄膜；p型Zn0发光特征；光致发光；掺杂技术
484．4+1
中图分类号0 文献标识码A
of Films and
PhotoluminescenceZnO NaturallyDoped
withNandAl
Codoped
FU Weil，LU
Guang—shen91，SUNXue-qinl，
WANG Weil
Zhi—huil“，YU
Chun—shen91，YIN
Sci8，lc8口咒d
CDZZegPo，P^ysics Tkc^，zDZogy，HP6Pi
，1 U矗i优，百i￡y，Bnodi咒g，He6西071002，(强i7z口、
2 053000，吼i咒口 ／
＼ P^ysicsD已p口r￡，P72f，Cozzegeo，H已咒gs^矩i，HP咒gs^甜i，H已6Pi
AbstractZn0films and withNandAlare heliconwave assisted
naturanydopedcodoped depositedby plasma
Their havebeenstudiedatlow
method．
sputtering photoluminescence(PL)propertiestemperature．Experiments
resultsshow PLcan inthe kindsof The emission
thattheacceptor—relatedbeobservedtwo films． near—band—edge
around404．Onminducedzinc isobservedinthefilm the
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