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扩散工艺的性能指标有哪些啊 主要是方块电阻和结深，这两个指标达到了，其他的方面也就满足要求了 多晶硅的方块电阻和结深 对于生产线来说，主要监控片内和片间的均匀性和方块大小，结深测试是破坏性的仅有在开发阶段进行验证 正常只要方阻和片内及片间的均与性，测试结深一般需要破坏圆片的，正常是在试验期做，批量生产时也可以利用陪片来测量。L( r2 M9 c! `* ^! t. u1 ]/ I. Q片子的均匀性是指电阻分布的均匀性，RS测量包括49个点及9点的测量类型，均匀性就是这49个点或9点的电阻的均方差 为什么注入的深，方块电阻小？ 注入菜单 仅能量不一样。 谁来说说？ 一直没明白。3 M6 Z L, M P% O- E4 U% ?4 g! [, v6 {. m c: z k/ b d是因为注入的浅点的话，退火时外扩散，剂量损失？ 载流子浓度越大，电阻低。 可以想象成导线直径越大，电阻越小 就是注入越深PN结就越窄 以前在书上有看到过关于注入时浓度最高的地方不是在最上和最底下是在靠中间的位置，这样分析的话可能深度越深的话高的浓度越易产生吧，不敢肯定是这样有问题大家指正哈！ 注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小. RS=P(resisitivity)/t(thickness) 深度增加，RS减小注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小. 例举一下吧，你扩散的越深，载流子越多，导电性越强，电阻自然会变小了 [设备] AP和LP炉管的区别 AP表示常process,LP表示低下process$ H, p, E5 w6 E5 `# T: P iAP有reactive tube,通常gas由上至下流下經由控至exhaust Z, {, b6 i }8 LLP gas由下往上流.經由pump抽真空作process.0 K8 b [ v J4 o3 c8 h5 m! qAP程是靠晶片本身氧化作用: Z# U* r8 V# E# \LP程是GAS反映depo在晶片上. APCVD是常压CVD, 好像没有炉管可以做APCVD的， LPCVD是低压CVD,一般process时压力达到200mmtor，水平或垂直炉管都可以实现，有PUMP抽气，APC实现压力的控制 AP 管主要是thermal 和 氧化SI SUBSTRACE 长OX 而LP 管主要是通过反应在SI 上面长film 氧化层厚度如何控制好? 我觉得只能是试验的问题了,多试几次,保证重复性.; c3 k R T/ t; ~ f- g炉管温度是能稳定得很好的,气流流量自然也能控制得比较好.每次氧化这两个量都能比较好的重复.1 t0 a5 a1 i0 L y3 x- w1 v; H推进和拉出的时间也要每次一致.5 m9 A/ | v8 z( `8 F F所能做的就是降低氧化速度,这样的话控制起来会更容易一点,不过就增加了时间,高温过程时间变长是很不利的.所以就中和考虑一下,在能容忍的时间范围内尽量降低氧化速度.: T6 `6 r* S V5 C) y% b个人意见,不知道对不对, 另外还有个问题,在掺杂的硅片上为什么掺B氧化层厚度与Rs成反比,而掺P的成反比! 分凝系数不一样,B趋向于向氧化层混合,而P趋向于远离氧化层,至于为什么分凝系数不一样,就从材料内部Si和二氧化硅的晶格结构上解释 简单说::就是长氧化层后,B有一部分会向氧化层中扩散,而P向背向氧化层扩散 sio2会排磷吸硼 因磷和硼分子大小不同，穿透oxide的能力不同，亦即主要穿透方式不同(P motion by vacancy ; B motion by interstitialcy) 对呀,硼的分凝系数(杂质在硅中的平恒浓度/杂质在二氧化硅中的平恒浓度)m1,而磷的m1.不过真的有正反比的关系吗 求教:二氧化硅问题(隔离机制) 我看到一篇关于二氧化硅的材料:$ z$ F D Z S 1,若杂质比硅更可溶于氧化物,则杂质氧化过程中会迁移到氧化物中,如硼.相反,杂质更易溶于硅,氧化界面会把杂质推移到硅中.如磷.在硅----二氧化硅界面会有较高浓度.也就是所谓的隔离机制(亲硼排磷)吧.: j4 T- F- ]. o 2,杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力. D5 c# V5 P/ v) v L$ Z3 a* C% C; [1 V+ x o: P3 c请问这两者有矛盾吗?没矛盾啊,隔离主要发生在interface,而后面的扩散是指在si或者sio2内的. 是呀,我问过