通过PECVD法制备多晶硅膜.pptVIP

毕业论文题目;总纲;论文重点内容;论文主要任务;太阳能光伏行业发展趋势; 无锡尚德太阳能电池有限公司是我国最大的太阳能电池生产厂家，2005年生产82MW，占全国总产量的56.3占晶体硅太阳能电池的61.7%。2007年，尚德太阳能电池有限公司已成为全球第六大生产商。南京中电太阳能公司的产能也由2004年的30MW增加到100M国内总产能占全球的16.7%。保定英利绿色能源有限公司是全球最大的垂直一体化光伏发电产品制造商之一。2007年，公司铸锭、硅片、电池、组件产能均达到200MW，2008年达到400MW，2009年达到600MW 。 据中国太阳能协会的统计数据，2007年国内太阳能电池的产量约为1180MWp，在全球太阳能光伏电池市场的份额达到27%。 同期，欧洲、 日本和美国的产量分别是1062、 920和266MWp。2007年世界前16家太阳电池公司中，中国已经占有了6家，中国已成为名副其实的太阳能电池世界第一大国。 但中国太阳能光伏产业呈现出 “两头在外” 的格局，即中国太阳能光伏产业的主要销售市场以及核心技术和原材料都主要来自国际市场。国家应通过税收优惠政策、 政策性贷款和专项资金，鼓励优势企业进行高纯度硅料等核心技术和薄膜电池等新兴技术的研发。 这将会大大提高国内太阳能光伏电池产业的整体竞争力，推动中国从太阳能光伏产业大国跃升为太阳能光伏产业强国。 ;太阳能电池原理和分类; 一：晶体硅太阳能电池 主要有单晶硅和多晶硅电池，光电转换效率高，工艺成熟，在目前仍然占有市场的主要份额。但耗材大，生产成本高。 二：薄膜太阳能电池 薄膜太阳电池又叫第二代太阳电池，主要有硅薄膜型太阳能电池(多晶硅、非晶硅)、半导体化合物薄膜型太阳能电池(III-V族化合物(GaAs、InP等)、II-VI族化合物(CdTe、CIGS等)、新材料薄膜型太阳能电池(有机半导体薄膜太阳电池和染料敏化太阳能电池) 等。下面将分别做一下介绍 2.1非晶硅和微晶硅太阳能电池 非晶硅薄膜电池成本低，但S—W效应使其应用受限，微晶硅降低了电池的光致衰退。和非晶硅相比，微晶硅则具有较好的长波光谱响应特性。 2.2多晶硅薄膜太阳能电池 多晶硅薄膜太阳电池因同时具有单晶硅的高迁移率，长寿命及非晶硅材料成本低、可大面积制备，材料制备工艺相对简单的优点,且无光致衰减效应。多晶硅薄膜电池技术可望使太阳电池组件的成本得到更大程度的降低,从而使得光伏发电的成本能够与常规能源相竞争; 目前认为，影响多晶硅薄膜太阳能电池性能的主要因素是晶粒尺寸，晶界宽度和有害杂质的含量及分布方式。此外影响电池光电转换效率的因素还有：禁带宽度，温度，载流子的复合寿命，光强，参杂浓度及剖面分布，表面复合速率以及衬底因素等 纳米多晶硅薄膜太阳能电池基于纳米尺寸的多晶硅薄膜，当晶粒尺寸为几个纳米时，会产生量子特性，其导电不再是由热电子引起，而是由量子隧穿效应代替。纳米多晶硅薄膜太阳能电池可以在廉价衬底上制备，且无效率衰减问题，转化效率比非晶硅薄膜太阳能电池高，成本低，所以具有市场发展潜力。 2.3GaAs太阳能电池 GaAs具有直接能带隙，宽度1.42eV。实验室最高效率已达到24%以上。砷化镓太阳电池目前大多用液相外延方法或金属有机化学气相沉积技术制备，因此成本高，产量受到限制。砷化嫁太阳电池目前主要用在航天器上。 ; 2.4CdTe薄膜电池 CdTe（碲化镉）是为带隙1.46eV的直接跃迁型半导体，其禁带宽度随温度变化很小，非常接近光伏材料理想禁带宽度。它的光谱响应与太阳光谱十分吻合，且光吸收系数极大（105cm）。其理论转换效率为28％。 2.5有机半导体薄膜太阳电池 有机薄膜太阳电池以其原料易得，廉价，环境稳定性高，良好的光伏效应等，日益被人们所重视。但是由于高分子材料大都为无定型，即使有结晶度但是载流子和迁移率依然都很低。因此在转换效率、光谱响应范围、电池的稳定性方面，有机太阳电池仍待提高 除了上述的太阳能电池外，近几年随着科学技术的发展，高效太阳能电池、层叠结构太阳能电池发展迅速，各种提高光电转换效率的结构组合方案被提出。 三：第三代太阳电池 目前标准太阳能电池的理论转换效率上限为33%,但是分局卡诺循环太阳能转化为电能效率可达到95%,这说明太阳电池的效率还有很大的提高空间 。 目前的第三代太阳电池还停留在概念和简单试验研究阶段。第三代太阳能电池主要有前后重叠电池、多能带电池、热太阳能电池、热载流子电池和冲击离子化太阳能电池(又叫量子点电池Quantum Dot Solar Cells)等。;多晶硅薄膜的结构和特性;纳米硅薄膜(nc-Si:H)作为一种新型半导体材料，是由纳米数量级Si晶粒组成的一种薄膜。膜层中的晶态成分