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纳米结构中的量子化电导 ——纳米电子学读书报告 纳米结构中的量子化电导 摘要：简要介绍了在分裂栅结构量子点接触的实验，发现电导出现量子化，随负栅压绝对值的减小而台阶式增大，出现了量子化平台，平台与平台的间隔是2q2/h，总电导是2q2/h的整数倍。用理论和Landauer公式分别对量子化电导做了定性解释，电导量子化是由于电子波干涉在量子点接触处形成多通道的弹道输运，总电导应该是单弹道电导的整数倍，即2q2/h的整数倍。最后对几个影响电导量子化的因素（如温度、非均匀性）进行了研究，发现随着温度的升高和非均匀性的加剧，电导量子化平台圆度增加，甚至被抹平。 关键词：分裂栅 量子点接触 透射率 电导平台 引言 随着集成电路特征尺寸的进一步缩小以及MOS器件物理极限的到来，介观尺度下的电子输运现象受到越来越多的关注，成为当前凝聚态物理研究中的活跃领域。工艺水平的提高和扫描探针显微镜的应用，为实验研究提供了可能。介观系统是指系统尺寸介于宏观和微观之间，即未小到原子量级，又未达到欧姆定律起作用的范围，尺度通常在0.01~1μm量级。欧姆定律起作用的范围通常指系统尺度大于三个特征长度：德布罗意波长、平均自由程、相位相干长度。 近年来，由于微加工技术的发展，逐渐实现了微米、亚微米直到纳米量级的纳米线，这种尺寸已属于介观物理体系范围，由于这种小尺寸结构体系的独特性质（如电子输运进入弹道输运区，其运动主要受量子机制的支配）以及其在未来电子器件和光学器件中的广阔应用前景，这类新的物理体系引起了人们广泛的关注。 电子输运有两种情况：扩散和弹道输运。当导体长度小于电子平均自由程时，电子在导体中的输运过程为弹道输运，没有散射过程，根据经典理论，电导为无穷大。但实验结果表明，电导存在极限值；并且大小不再随导体宽度线性变化，而是出现了间隔相等的台阶，即所谓的电导量子化。 二维电子气中窄收缩区电导量子化的发现，特别是高迁移率样品GaAs—AlxGa1-xAs异质结的制成，开辟了对介观物理体系弹道输运研究的新领域。1988年，Van Wees以及其合作者和Wharam等人各自独立地发现，在一个窄而短的弹道收缩区中，电子呈现以2q2/h为单位的量子化。 随着扫描隧道显微镜技术（STM）和机械控制裂栅技术（MCB）在微结构制作中的应用，使器件的尺寸由最初半导体微结构的微米量级延伸到金属微结构的纳米量级，量子结构也逐渐实现了由一维到三维的转变。在金属点接触中，由于电子的费米波长更短（约为零到几个nm），电子平均自由程也较短（约为几个nm），使器件的制作更加困难，当前的技术还无法精确控制这种点接触结构的形成，这种结构中的能量铺展约为几千K的温度范围，所以温度效应并不重要，可在室温或更高温度下观察到电导的量子化现象。对于2D-1D-2D结构模型，已有许多人进行了研究，都得出了电导量子化的结论，且以2q2/h为单位跳跃。而对于3D-1D-3D结构模型也有了许多工作，比如利用矩形截面的三维体系模型，并运用方势阱求解薛定谔方程，由于能级简并，得到了以多个2 q2/h为单位的量子化。再比如采用圆形截面的双曲圆柱体作为结构模型，并利用半经典近似，得到了电导的量子化。为了使理论更接近实际情况和使电导对微结构形状的依赖更加明确，我们采用量子力学的方法直接求解薛定谔方程，使人们对金属点接触电导量子化现象有更深入的认识。 一、量子点接触的制备 考虑到金属、离子晶体、半导体迁移率太小，为实现弹道工作区条件，存在GaAs/AlGaAs异质结中的高迁移率二维电子气2-DEG成了研究量子弹道输运的最佳系统。它具有以下特点：电子气的密度可达1011cm-2，迁移率高达10至102m2s-1，电子平均自由程可达10μm量级，并在极低温下（0.01~0.1K），位相相干长度要比电子平均自由程大得多，费米波长也相对较大（典型地为40nm）。在金属中，对弹道输运作研究的理想对象是宽度和长度都小于平均自由程的窄区，称为点接触。由于电子通过这些窄区是无散射的，电阻由该点接触的几何形状决定。点接触一杯大量使用以研究金属盒半导体中电子的弹性和非弹性散射过程。利用偏置点接触还可把电子注入到金属中费米能级的位置，从而可以研究散射机制与能量的关系。此外，利用两个点接触，它们的间距小于平均自由程，在施加磁场条件下，可以把电子从一个点接触注入，而在另一个点接触聚焦，这已被用于费米面的具体研究。近年来，研究表明，考察电子一维输运的有效方法是对形成于异质结中的2-DEG的静电挤压，即利用电子束刻线在异质结顶层制造一个分裂金属栅构形，随后在栅上施加负电压，由于感应使栅下面的电子气被耗尽而形成点接触。随着偏压的负向逐渐增大，点接触的宽度变得越来越窄，最终整个窄区被压挤掉