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ⅲⅴ比对gan等离子体辅助mbe生长的影响 effect of ⅲⅴ flux ratio on gan growth by plasma-assisted mbe
光电字·激光
第17卷第8期2006年8月 Journal V01.17No.8
ofOptoelectronics·Laser Aug.2006
Ⅲ/V比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响*
隋妍萍一,于广辉,俞谦荣,齐 鸣
(中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
摘要:在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出
二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/V比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长
GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有
更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带
发光(YL)与GaN中生成能最低的Vw和Vc。缺陷态有关。
关键词:分子束外延(MBE);Ⅲ/V比;二维生长;光致发光(PL)谱
文献标识码:A
中图分类号:TN304.2+3 文章编号:1005—0086(2006)08—0958—05
Effect FluxRatioonGaNGrowthPlasma—assistedMBE
ofⅢ/V by
SUI Guang—hui,YU
Yan-ping~,YU Qian—rong,QIMing
of In
(State ofFunctionalMaterialsfor Institute and
KeyLaboratory lnformatics,ShanghaiMicrosystem
formation of 200050,China)
Technology,ChineseAcademyScience,Shanghai
f.|msin2-D modewere molecularbeam
Abstract:GaN growth grownbyplasma—assisted
a of buffer conditions.Wehavestudied
range
epitaxy(MBE)underlow-temperaturelayer
onGaN
theeffectof fluxratio basedonthe ofmicrostructureandsur·
m/v growth study
face theintermediateconditionbetweenGa-richandN-richconditionsis
morphologies.And
established,slGa-richconditionisthe conditionforMBEGaN
ightly optimal growth.Blue
in GaN at10K
and low observedthe
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