ar+注入多孔硅与ar+注入硅多孔结构的光致发光研究 study of photoluminescences of the ar+ implanted porous silicon and the porous structure of ar+-implanted silicon.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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ar+注入多孔硅与ar+注入硅多孔结构的光致发光研究 study of photoluminescences of the ar+ implanted porous silicon and the porous structure of ar+-implanted silicon.pdf

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ar注入多孔硅与ar注入硅多孔结构的光致发光研究studyofphotoluminescencesofthearimplantedporoussiliconandtheporousstructureofar-implantedsilicon

巍电字·嫩W 9No．12 第19卷第12期2008年12月Journalof V01．1 Dec．2008 Optoelectronics·Laser Ar+注人多孔硅与Ar+注入硅多孔结构的光致发光研究’ 吕小毅1，杨勇兵2”，贾振红3一，薛涛2 (1-西安交通大学电子与信息工程学院，匿安710049；z．新疆大学物理科学与技术学院。乌鲁木齐830046；3．新疆大学信息科学与工程学院。新疆乌鲁木齐830046；4．喀什师范学院物理系，喀什844000) 摘要：研究了中等能量(30key)At+注入多孔硅和中等能量(30kev)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明：中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅后，多孔硅原有的发光峰消失， key) 主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用．使得与氧相关发光的结构消失，多孔硅不再发光；中等能量(30 Ar十先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中，通常多孔硅原有的580nm附近发光峰强度随注人m+剂量的增加而增强，并有红移；同时在谱峰处于470nnl附近的微弱发光峰不因注人Ar+而明显变化。美键词：离子注入；多孔硅；光致发光中国分类号：TI怕83 文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2008)151640-04 of ofthe siliconandthe strue= photoluminescencesAr+implanted porous Study poIroBs tureof silicon Ar+-implanted 2 LV Tao Xiao-yil，YANGYong-bi醇”，JIAZhervhongs一，XUE ofElectmnicandInformation of (LSchool Engineer，Xi’anJia0tong University，Xi’an710049。China；2．School ofInlormationscience8L Uni— 830046，China；3．College engineering，Xinjiang physics，)(inj啦University，Urumqi teachers versity，Ummqi830046，Claim,4．Kashgar department，Kashi，844000，China) collegephysics