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b2o3-li2o低温助烧zmszt陶瓷的微波介电性能 microwave properties of zmszt ceramic sintered at low temperature with b2o3-li2o doping

第35卷第2期 电子器件 V01.35No.2 2012年4月 ChmeseJo哪alofElecL舯nDcvJ惴 Apr.2012 Microw.aVe ofZMSZTCeramicSinteredatLow Properties with Doping B203-Li20 黝ⅣG xioome; yj!愕口昭4,删D她咖i,肼1ⅣG yi,彬i昭,黝J7vG 210016.吼‘加) (coffP酽o,^忆搪廊bsde,胛口以‰^聊lo影,№彬昭跏i钾格酊0,AeronⅡuIⅫ口ndAs£ro舳m洒.Ⅳ0咖g orderto the with and Abstract:Instudypmper七iesof(zno8Mgo2)2si04一zr02一Ti02(zMszT)ceramicsdopedB203 electron anddielectricmeasurementshavebeen 【j20,thedrainagemethod,X—raydiflhction,scanningmicroscopy dielectric ofthe introducedto and ZMSZT with inves“gatethe(1ens;Iy,micmst八JctureProperties specimensB203 or/and additions.仆eZMSZTceramicaddedwilh a11d showed and U20 lwt%B2034卅%“20 highdensitygood dielectric ceramic canbeutilizedasIJTCCmaterialsduetoitsexcellent syntheticalproperties. words:microwave dielectric 0addition Key ceramics;microwavepropenies;lowtemperaturesintering;B203-“2 EEACC:0550doi:10.3969/.i.issn.1005—9粥咐.2012.02.004 王莹莹,王寅岗+,缪雪飞,冯晓梅 (南京航牢航天大学材料科学与技术学院,南京210016) 摘 性能。结果显示存zMszT陶瓷中同时添加l卅%B,o,和4Ⅲ%也。可有效提高其烧结性能,在930℃/3h烧结条件下可以获 120 GHz(f=10.3 得较高的致密性及微波介电性:p=3.83∥cm3,e,=9.36.Qf一30 “,0复合添加的zMS研陶瓷可以应用到LTcC(低温共烧陶瓷)领域。 关键词:功能陶瓷;微波介电性能;低温

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