b-zn复合掺杂的lnt微波介质陶瓷的低温烧结 low temperature sintering of li0.925nb0.375ti0.8o3 microwave dielectric ceramics co-doped with b2o3 and zno.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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b-zn复合掺杂的lnt微波介质陶瓷的低温烧结 low temperature sintering of li0.925nb0.375ti0.8o3 microwave dielectric ceramics co-doped with b2o3 and zno.pdf

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b-zn复合掺杂的lnt微波介质陶瓷的低温烧结 low temperature sintering of li0.925nb0.375ti0.8o3 microwave dielectric ceramics co-doped with b2o3 and zno

第12 期电子元件与材料 Vol.25 No.12 2006 年12 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS D e c . 2006 研究与试制 R D B-Zn 复合掺杂的LNT 微波介质陶瓷的低温烧结喻佑华，尹雪帆，周川钧，艾凡荣，丁银忠 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，江西景德镇 333001) 摘要: 研究了烧结助剂 B O 、ZnO 对 Li Nb Ti O （LNT ）陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明： 2 3 0.925 0.375 0.8 3 B O -ZnO 复合掺杂能有效降低烧结温度至 900 ℃。ZnO 的添加调节了LNT 陶瓷正的频率温度系数，质量分数为 1 % 2 3 的B –6 –1 O 和4 % 的ZnO 是最佳添加量，可得到 ε 为 59.5，Q ·f 为 7 840 GHz ，τ 为0 ×10 ℃ 的微波介质陶瓷材料。 2 3 r f 关键词: 电子技术; 微波介质陶瓷; Li O-Nb O -TiO 体系; 低温烧结; 烧结助剂 2 2 5 2 中图分类号: TM28 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2006 ）12-0037-04 Low Temperature Sintering of Li Nb Ti O Microwave 0.925 0.375 0.8 3 Dielectric Ceramics Co-doped with B O and ZnO 2 3 YU You-hua, YIN Xue-fan, ZHOU Chuan-jun, AI Fan-rong, DING Yin-zhong ( School of Materials Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute, Jingdezhen 333001，China ) Abstract: The microwave dielectric properties and sintering per