california micro devices推出用于手机的 praetorian(r)lll lc滤波器架构以成本更低的架构为高速数据接口提供更优质的emi滤波.pdfVIP

I．forni aMi i Ca croDev ces推出用于手机的 Praetori l an(R)lI LC滤波器架构 以成本更低的架构为高速数据接口提供更优质的EMI滤波 加州米尔皮塔斯2008年6月30日电／新华美通／一 CalifomiaMicro Devices(Nas(kIq：CAMD)(简称“cMD’，)今天 宣布推出其用于手机的第三代Pr∞tori锄IIILc滤波器架构。 Pmct耐蛐In产品为滤波器性能树立了新的基准，以较 Pr∞tori锄I产品更低的成本(相当于最近推出的Praetori锄Ⅱ 系列产品的成本)提供了更高的性能。基于创新的耦合电感设 计，cMD的Praet耐柚Ⅲ架构提供感应水平较高以及电容水 平较低的滤波器。这使得滤波器设计可提供较同类竞争产品 更高的衰减水平以及更高的信号完整性。 高带宽数据接口的增长 基于Pr∞toIi锄Ⅲ架构的产品能够满足如今先进的手机 设计(包括高分辨率彩色液晶显示屏、照相机以及移动存储接 口)中最具挑战性的EMl(电磁干扰)滤波器与EsD(静电放 电)保护需求。iSuppliCoIpomtion无线通信部门分析师Til擒 T∞g评论说：“功能手机和智能手机消费需求的增长预计将 推动未来几年内手机数量的大幅度增长。据isuppli预测，从 2008年到2011年，这两类手机数量的复合年增长率将达到 9．3％，而整个手机市场的复合年增长率将仅为6．O％。能够满 足高分辨率显示屏和照相机以及高密度移动存储器应用需求 的产品必将能够从预计的需求增长中获益。” 用的增长，寻求一种低通道电容滤波解决方案已经成为那些 担心信号完整性不能维持的手机设计工程师所关心的重要问 Praetorian III翕是构 Pr∞tori柚m架构采用了六极pi型滤波器拓扑结构，提 案，以更低的新价格提供了业界领先的性能。”基于 供高水平的截止频率和衰减水平以及高达15kv接触放电的 P均et吲孤Ⅲ架构的新产品将于第三季度出样。 强大ESD保护(符合IEC6l00042二级标准)。利用可用芯 片领域更高值电感的优势，P胁咖ri柏Iu架构使得更低值电 Micm (消息来源：c出fjfnhDevice曲 容器的使用成为了现实，从而实现了输入电容低至10pF的滤 波器设计，显著提高了信号完整性。耦合电感器的紧凑型尺寸 还使P删锄m滤波器设计能够适用于引脚中心距为 O．4n珊的小尺寸uDFN封装以及芯片级封装。 Bakcr表示：“由于高带宽数据应 CMD营销副总裁K-yle 一15一 万方数据