cd-afm在45 nm节点半导体芯片检测过程中的应用 cd-afm application in 45 nm node of semiconductor metrology.pdfVIP

第28卷第2期 电子显微学报 V01．28．No．2 2009年4月 JournalofChineseElectron Society 2009—04 Microscopy 文章编号：1000．6281(2009)02．0127．04 CD．AFM在45Ylm节点半导体芯片 检测过程中的应用 殷伯华，初明璋，林云生，韩 立” (中国科学院电工研究所，北京100190) 摘要：本文介绍了关键尺寸原子力显徽镜(CD．AW)在半导体芯片制造中的应用。通过对比现有的半导体检测 仪器与原子力显微镜的工作原理和检测方法，详细探讨了原子力显微镜在目前的半导体芯片45am节点工艺关键 尺寸检测中的优势地位。根据芯片在线关键尺寸检测的具体要求，提出了原子力显微镜急待解决的相关研究内 容。 关键词：关键尺寸；原子力显微镜；扫描电子显微镜；3D图像 中图分类号：TGll5．21+5．7；TNl6文献标识码：A 自从40多年前摩尔定律提出后，人们注意到芯 累以及减小表面器件损害的技术挑战…。 、一” cD．AFM的优势刚¨刀 片主慧磐曼慧兰曼约爹!当2墨耋翼翟1 一倍，同时其性能也将提升一倍。芯片体积的成倍 缩小和晶体管密度的提高导致了结构尺寸的急剧缩 1．1分辨率高 小。计算机CPU芯片的线宽也从PentiumII的0．35 原子力显微镜(AFM)技术是从扫描隧道显微镜 am…和45tim。如此小的芯片 肛m下降到目前的65 (STM)乜1基础上发展起来的检测仪器，已经广泛应 特征尺寸对检测仪器提出了更高的要求。在半导体 用到纳米研究领域。AFM是一种能够实现定区域， 生产线上，不同的制作环节需要多次检测。图1为 高分辨率扫描成像的测量仪器。由于AFM测量系 半导体芯片生产工艺流程，由图可见至少会有七次 统采用光杠杆放大原理来检测样品的形貌特征，具 检测，可见检查在半导体制作过程中的重要性。 有纳米级别的测量分辨率，因此它非常适合应用于 传统检测设备包括光学检测、扫描电子显微镜 半导体45am工艺尺寸节点的检测过程。同时AFM 检测、原子力显微镜检测。其中光学方法是早期的 的检测过程不受材料限制，使得它的检测对象范围 检测方法，随着加工线宽的持续减小，光学检测用光 更广泛。而扫描电子显微镜(SEM)工作的对象只能 波长也减小到了紫外波段，但是衍射极限限制了该 是导电材料，否则就容易发生电荷积累，降低成像分 技术在下一阶段半导体生产线上的应用，目前的光 辨率。现在半导体芯片制作过程中经常采用高介电 学检测设备用于高通量、大面积、粗线条的表面检 常数的材料，这更不利于SEM的扫描成像，而使用 测，该技术慢慢从主流设备中退出；扫描电子显微镜 AFM没有任何问题。 (SEM)检测技术已在半导体工业生产线上广泛应1．2真三维图像 用，它用于表面粗糙度检测、线宽测量、表面缺陷分 AFM表面探测过程是在通过微探针直接接触 析、表面介质膜缺陷分析、连线层分析等等。扫描电 被测样品表面，采取逐行扫描的方式直接获取样品 镜检测技术由于使用高能电子束作为测量探针，突 表面的轮廓和粗糙度信息。而目前半导体生产线上 破原来光学测量的衍射极限，因此，可以非常高的分 应用的普通SEM只能获得XY方向二维图像。目前 辨率对表面进行测量；再加上扫描电子