cigs薄膜(inga)2se3-富cu-富in(ga)的演变 evolution of (in,ga)2se3 -cu rich -in(ga) rich of cigs thin films.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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光电子·激巍 of V01．19No．3Mar．2008 第19卷第3期2008年3月 Journal Optoelectronics·Laser ·材料· 薛玉明¨‘，徐传明3，张力2，孙云2，王伟4，杨保和1 (1．天津理工大学，天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津300191；2．南开大学信息学院，天津300071； 3．上海太阳能工程技术研究中心，上海200241；4．山西省汾阳市汾阳中学，汾阳032200) 摘要：采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2，cIGs)薄膜。薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台特性进行了讨论。关键词：CIGS；OVC(()13(3)；(In，Ca)zSe3预制层；富Cu；富In(Ga)；三步共蒸发中图分类号：TB333文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2008)03-0348-04 Evolution ofCIGSthinfilms of(In，Ca)2Ses-Curich-In(Ca)rich XUE Bao-hel Liz，SUNYunz，WANGWei4，YANG Yu-ming一，XUChuarrming。3，ZHANG Rlm of ElectronicandCommunication of (1．TianjnKeyLaboratory Devices，TianjinUniversityTechnology，Tianjin Technical ofInformationScience，Nankai Solar 300191；2．College University，Tianjin300071，China；3．Shanghai Research 200241，China；4．FenMiddle Province032200) Energy Centre，Shanghai Yang School，Fenyang，Shanxi filmswere three $山stmct：CI(沿thin t11ickness，the sequentiallydepositedby stageco-evaporationtechnique．The composition the and crystalstructureofthefilmsweremeasured fluorescence(XRF)anddiffraction(XRD) bystepmeter，X-ray X-ray respectively．Tl论crsytal phase tOCurich evolutionis from(In，Ca)zSe3 Cu(I