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2017-08-22 发布于上海
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fed下基板制作工艺及介质的耐压特性研究 fabrication and voltage properties of the fed bottom substrate.pdf

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fed下基板制作工艺及介质的耐压特性研究 fabrication and voltage properties of the fed bottom substrate

第30卷第2期光电子技术 V01．30No．2 2010年6月 0PTOELECTRONICTECHNOLOGY Jun．2010 矿√～p_‘p、9～ ’应用技术≮ *、F、毋一_p—o FED下基板制作工艺及介质的耐压特性研究’ 张斌唐李晟李军赵莉丁兴隆 (彩虹集团公司(北京)技术中心，北京100085) 摘要：在制作场发射显示器(FED)下基板的工艺过程中，设计了两种方案来制作下基板的阴栅极，用扫描电镜观察所得样品的横截面，并计算出各结构尺寸，分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法，测试介质在中性溶液中浸泡不同时间后的耐压曲线，并分析击穿电压降低的原因。关键词：场发射显示器；介质；击穿；下基板中图分类号：TNl04．2文献标识码：A 文章编号：1005—488X(2010)02一094一03 FabricatiOnand OflheFEDBOttOmSubstrate VOItagePrOperties Jun，Zhao ZhangBin，TangLisheng，Li Li，DingXinglong (IRIco N、) Gro“pCompnnyTech扎o}ogyCenter，Beijing、o0085，CH were tofabricatethecathodeand electrodeinthe Abstract：Twoplans designed grid process of theFEDbottomsubstrate．Thecrosssectionof wasobservedSEMand fabricating sample by thesizeof wascalculated．Theeventofshortcircuitand weredis— architectures explanations cussedbasedonthe data．0nebettermethodwasinvolvedinthe experimentaI voltageprosperity The curvewasmeasuredandthe ofbreakdownwasdiscussed． experiment． drop voltage voltage substrate words：FED；insulator；breakdown；bottom Key 场发射显示器(FED)是乎板显示器件中发光原多且工艺较为成熟的是三电极结构，即阴极、阳极和理最接近阴极射线管(CRT)的一种平板显示器件，栅极，栅极和阴极之间由绝缘介质层隔开，根据栅极并认为是真正有可能与等离子体(PDP)和液晶显的位置不同又分为背栅、正栅和侧栅结构。但是不管示器件(I。CD)相竞争的平板显示器[1]。最早的场致采用那种结构都要保证阴栅极之间良好的绝缘性，发射平板显示器的阴极是利用微电子工艺制备的微为了保证FED器件正常工作还必须具备一定的耐尖锥阵列来实现的[2]。微尖锥阵列的场致发射阴极压性。同时植