gaas phemt器件高温加速寿命试验及物理分析 high temperature accelerant life test and physical analysis of gaas phemt device.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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gaas phemt器件高温加速寿命试验及物理分析 high temperature accelerant life test and physical analysis of gaas phemt device.pdf

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gaas phemt器件高温加速寿命试验及物理分析 high temperature accelerant life test and physical analysis of gaas phemt device

No．1 第33卷第1期电子器件 V01．33 2010年2月 ChineseJournalofElectronDevices Feb．2010 Test ofGaAsPHEMTDevice+ AccelerantLife and 碰ghTemperature PhysicalAnalysis Yun Yah，HUANG CU／Xiaoying。，XU No．5ResearchInstitute Scienceand on ／The ofMIIT，NationalKeyLaboratoryof TechnologyReliabilityPhysics口，珂、 Component，Guangzhou510610，China ，、ApplicationofElectrical metallizationwhich ofGaAsmicrowavedevice relatedto ofdevice’S includes Abstract：Degradation nearly stability transmissionline．A accelerantstrasslifetestwas on gatecontact，ohmiccontact，and hightemperature performed metalcontactholechainandohmiccontactmetal barofGaAsPHEMTdeviceto there gate rectangle predictlife， turnsoutthatthe metal 1 and was intothe afterexamination．It gate failuresat 80℃． physicalanalysisput sample with thecontactholechainsurfacemetallizedand ofthemetallizedsurface transmutationof layermigratation layer． ohmiccontactoccurs at 225 themetaldiffusesinto oC，and Moreover，AuGeNi eleetromigrationhighertemperature thatforms onmetalbar． undedayer cavity accelerantstress Keywords：GaAs contact；ohmiccontact；hightemperature test；lifepredict PHEMT；