gaas-led阵列器件隔离沟槽的制备研究 the fabrication of isolation grooves of led arrays on the gaas.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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gaas-led阵列器件隔离沟槽的制备研究 the fabrication of isolation grooves of led arrays on the gaas.pdf

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gaas-led阵列器件隔离沟槽的制备研究 the fabrication of isolation grooves of led arrays on the gaas

第26卷第4期光电子技术 V01．26No．4 2006年12月 OPTOELECTRONICTECHNoLOGY Dec．2006 GaAs—LED阵列器件隔离沟槽的制备研究+ 李佳1’2，梁静秋¨，金霞1’2，孔庆峰1’2，侯凤杰1’2，王维彪1 (1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室。长春，130031 2．中国科学院研究生院，北京，100039) 摘要：良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能，高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺，选择湿法腐蚀工艺，使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAs进行了腐蚀，在二者配比为3；1的条件下，在 GaAs衬底材料上制备了深宽比为2：1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。关键词：GaAs；发光二极管阵列；高深宽比结构；湿法腐蚀中图分类号：TN315+．3 文献标识码：A The FabricationofIsolationGroovesofLED ontheGaAs Arrays I．IJial”，LIANG Xial”，KONG Wei—biao Jing—qiul，JIN Feng—jiel”，WANG Qing—fen91”，HOU (1．State Institute Key of of LaboratoryAppliedOptics．ChangchunOptics， FineMechanicsand Physws，ChineseAcademy 2．GraduateSchoolChinese of of Academy electricand isolationcanmakethe ofLED devicesbe Abstract：Fineoptic performeneearrays fabricationof with an heightenedremarkably．The playsimportant grooveshighaspect—ratio functioninelectric isolation．Inthis offabricationare paper，variousprocesses analysed．Wet theisolation thecitricacidand areused，ischosentofabricate etchingprocess，while peroxide with