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gan hfet沟道中的强场峰和背势垒 peaked electric field in channel and back barrier in gan hfet
笫32卷第3期 固体电子学研究与进展 VoI．32，No．3
2012年6月 OFSSE Jun．，2012
RESEARCHPROGRESS
GaN
HFET沟道中的强场峰和背势垒
薛舫时+
(南京电子器件研究所，微波毫米渡单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016)
2012—03—02收稿，2012—04—17收改稿
摘要：研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源一漏穿通等GaNHFET的热点课题及其关联。高漏
压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元
经典模拟软件计算的结果，发现这些理论计算的能带都向缓冲层末端倾斜，电子从沟道阱转移到缓冲层末端，不能
用来研究上述课题和进行器件优化设计。提出了新的量子模拟理念，用沟道阱的量子限制解开了上述难题。量子模
拟结果解释了上述课题的实验结果及其关联，有望从沟道强场峰和背势垒的相互作用研究中优化设计出高漏压工
作的大功率、高效GaNHFET。
关键词：氮化镓异质结场效应晶体管；沟遒中的强场峰；背势垒；电流崩塌；场板电极；短沟道效应；源一漏穿通
中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)03—0203—08
ElectricFieldinChannelandBackBarrierinGaNHFET
Peaked
XUE
Fangshi
(Scienceand onMonolithic CircuitsandModules
Technology Integrated Laboratory，
ElectronicDevices
Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN)
channel
Abstract：Thebackbarrier，fieldelectrode，current effect，
plate collapse，short
and andtheircorrelationsare inthis
source—drain otherhotproblems
punchthrough investigated
interactionbetweenthe electricfieldinchannelandthebackbarrier
peaked
paper。The strong
underdrain determinesthementionedaboveissues．The bandsof
high voltage publishedenergy
heterostructurewellunder drain calculatedclassicalsoftwaresuchas
quantum high voltage by
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