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2017-08-22 发布于上海
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gan_si npn hbt特性研究 gan_si npn hbt characteristics of study

第36卷第1期电子器件 V01．36No．1 Chinese ofElectronDevices 2013年2月 Journal Feb．2013 HBT GaN_Si Characteristicsof npn Study DONG Guoxiang，LIJianqing+ ElectronicScienceand (InstitutePhysical of Technology 610054，China) of Electronics，University ofChina，Chengdu Abstract：删Si transistorcharacteristicssimulationwasstudied heterojunctionbipolar using devicesimulationsoftware．G8忒／Si transistortoestablishaseriesof accurate heterojunctionbipolar reasonably ionization narrows modelandthe model． physicalmodels，includingincompletemodel，bandmodel，mobility composite neresultsfrom showedthatintheGaN／Si turn-on is2．5 experiment hetero—junction，thevoltage eV．1b=0．2mA，the 100 current factoriS timesandthebreakdownis900V。whichmakethis amplification voltage hetero-junctionbipolor a transistorobtain intheareaof devices．卟e cut—off is100 greatapplicationprospected high·power highest frequency itcan RF that workinthe andmicrowave bands． GHz，SO frequency Keywords：heterojunctiondevice；physicalmodel；simulation；GaN EEACC：25砷Jdoi：10．3969／j．issn．1∞5—94如．2013．01．002 GaN—SiHBT特性研究 npn 董果香，李建清+ (电子科技大学物理电子学院，成都610054) 摘要：采用二维器件仿真软件对GaN／Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN／Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型，包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。结果表明，GaN／Si异质结开启电压为2