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cmos器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究 study on the micro-infrared radiation of cmos devices and defects
第26卷第4期 固体电子学研究与进展 V01．26，No．4
2006年11月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Nov．．2006
CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究
陈兆轶 方培源 王家楫
(复旦大学国家微分析中心，上海，200433)
2005—12—21收稿，2006一03一03收改稿
摘要：CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中，它在正常工作和发生失效时
均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察，将对深入
了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。
关键词：互补金属氧化物半导体；红外发光；可靠性
中图分类号：TN433文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2006)04—460—06
ontheMicro—infraredRadiationof
Study
CMOSDevicesandDefects
CHEN FANG WANG
Zhaoyi Peiyuan Jiaji
(F“d口咒U竹i口P，百i砂，Ⅳd￡iD咒口Z』L矗crD—d扎以b5isCP九f8r，S^以咒g^以i，200433，C日Ⅳ)
devicesare usedbecauseoftheir and
Abstract：CMOSwidely 10wpowerconsumptionhigh
Photonemission whenCMOSICsworkorfail．The onthe
density．
integration happens study
micro—infraredradiationofCMOSstructuresmakessenseforthefurther ofvarious
understanding
effects
infraredradiationand thereliabilityofCMOSICs．
improving
words：CMoS；infrared
Key radiation；reliability
EEACC：7860F；7865H；8160C
CMOS
IC中因材料、工艺和设计不当引起的结构缺
陷进行可靠性分析和研究。
随着半导体集成电路制造技术的飞速发展，器 2 半导体器件的发光
件的特征尺寸在不断减小、集成度不断提高。但同时
也使一些原来并不明显影响器件性能的结构和效应 半导体的发光源自于载流子的退激发或者说复
变得十分突出，如超薄栅氧化层、热电子效应和闩锁 合。一般来说，半导体的载流子退激发过程主要有三
效应等，这将大大影响CMOsIC工作的可靠性并增 种：带问退激发、带内退激发和涉及化学杂质和缺陷
加了器件失效的几率。CMOSIC在工作时，它的一 的退激发(图1)。带间退激发包括能量接近禁带能量
些正常结构和微结构缺陷都会产生微弱的
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