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2017-08-22 发布于上海
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cmos 0.13 μm共面波导建模与特性分析 characteristics and modeling of coplanar waveguide in 0.13 μm cmos

第26卷第4期固体电子学研究与进展 V01．26．No．4 2006年11月 OFSSE Nov．，2006 RESEARCHPROGRESS 彳、pppp、妒≮pq 々射频与微波龟 ■、《、d9毋一爷毋o CMOS 0．13 um共面波导建模与特性分析陈勖王志功李智群夏峻 (东南大学射频与光电集成电路研究所，南京，2l0096) 2006一ol一1l收稿，2006一04一14收改稿摘要：基于TSMCo．13弘mCMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数锄、特征阻抗z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Q和70 术对片上传输线元件库进行测试。在o．1～40GHz范围内，测试结果与数值分析鹪吻合。这为在硅基上进行RFIC 设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。关键词：共面波导；互补金属氧化物半导体；低阻硅；散射参数中图分类号：TN405文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2006)04—485一05 Characteristicsand of ModelingCoplanarWaVeguide in0．13 CMoS Um CHEN LI XuWANG XIA ZhigongZhiqun Jun (Instn钍teRFoE—ICsSo札thenSt 0f of Um≈ersit，，Na札jing，21Q∞8，CHNl The isonthecharacteristicsresearchesof onSisub— Abstract：paper coplanarwaveguide inTSMCO．1 CMOS methodisintroduced strate，especially3弘m tehnology．Conformalmapping intothe tocalculatethecharacteristicvaluesofthetransmissioneffective analysis 1ine，e． per— g． Zandunit C．The 1ibraries mittiVity￡eff，characteristicimpedance capacitancecoplanarwaveguide withtheZ Qand line of50 70Qare themeasurement，thetr