cmos全差分超宽带低噪声放大器 a differential uwb cmos low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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cmos全差分超宽带低噪声放大器 a differential uwb cmos low noise amplifier.pdf

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cmos全差分超宽带低噪声放大器 a differential uwb cmos low noise amplifier

第28卷第4期固体电子学研究与进展 V。1．28，N0．4 2008年12月 OFSSE Dec。，2008 RESEARCHPROGRESS —、≯^ppp、妒qoq， ^硅微电子学《} ’K一一一一p{F‘、o’ CMOS全差分超宽带低噪声放大器。罗志勇” 李巍李宁杨光任俊彦 (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203) 2007．09．24收稿，2008—02·17收改穑摘要：文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器，该低噪声放大器采用了电阻并联 0．18 RF mm2，负反馈与源极退化电感技术的结合，为全差分结构，在Jazz pm CMOS工艺下实现，芯片面积为1．08 射频端ESD抗击穿电压为1．4kV。测试结果表明，在1．8V电源电压下，该LNA的工作频带为3．1～4．7GHz，功 dBm。耗为14．9mW．噪声系数(ⅣF)为1．91～3．24dB，输入三阶交调量(j了P3)为一8 关键词：互补金属氧化物半导体；超宽带；低噪声放大器中图分类号：TN722．4文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2008)04-554-05 A UWB LowNoise DifferentialCMOS Amplifier LUO LIWeiLI YANG REN Zhiyong Ning Guang Junyan State (ASICSystemKeyLaboratory，FudanUniversity，Shanghai，201203，CHN) Abstract：Adifferentialultra—widebandCMOSlOWnoise thatcombinesinductive amplifier resistive is fabricatedin source and shunt—feedback Jazz degeneration presented．Prototype RFCMOS achievesamaximum of15．5dB，anoise of1．91dB 0．18tlm process powergain figure dBmandanHBMESD tO3．24dBwithinthe3dBbandwidthof3．1～4．7GHz，anIP3of一8 input hardnessof1．4kV。while 8．3mAfroma 1．8V drawing supply． words：CMOS；ultra—wideband(UWB)；lOWnoise Key amplifier(LNA) EEACC：122