gan基apd日盲紫外探测器读出电路设计 roic design for visible-blind ultraviolet gan apd.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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gan基apd日盲紫外探测器读出电路设计 roic design for visible-blind ultraviolet gan apd.pdf

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gan基apd日盲紫外探测器读出电路设计 roic design for visible-blind ultraviolet gan apd

第36卷第5期电子器件 V01．36No．5 Chinese 0fElectronDevices 2013年10月 Joumal Oct．2013 4 for UltravioletGaNAPD ROIC Visible-Blind Design WU Xianzhen，LUO Haifeng，ZHAI Xiangdong+ KeyLaboratory Jiangsu226019，China) (Jiangsu ofAStCDe咖，NantongUniversity，Namong onthe ofthevisible-blindultravioletGaN Photodiode Abstract：Based operatingprinciple APD(AvalancheDiode)， thecharacteristicofthebreakdown currentcancellationandthecurrent circuitand voltageprotection，dark biasing referencecircuitofCTIAare andsimulateda1×8ROIC(ReadoutIntegrated bandgap voltage investigated．Designed has circuitunder simulationresultsshowthatROICcharacteristicof Circuit)，the V)．The hishvoltageprotection(80 7 100kHz amaximum of5．6x10electronsfora4 integration and25 provides eha弹storagecapacity pF capacitance time．Its is0—2．25 thestructurehasa nolessthan99％． voltage V，and linearity 炉integrationoutput swing large words：ultraviolet Key detectors；ROIC；linear—mode；APD EEACC：4250 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2013．05．017 GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计球吴海峰，翟宪振，罗向东+ (南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室，江苏南通226019) V高压