gan基发光二极管外量子效率研究进展 enhancement of the external quantum efficiency of gan-based light emitting diodes.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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gan基发光二极管外量子效率研究进展 enhancement of the external quantum efficiency of gan-based light emitting diodes.pdf

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gan基发光二极管外量子效率研究进展 enhancement of the external quantum efficiency of gan-based light emitting diodes

第27卷第1期 V01．27No．1 文章编号：1007-1 180(2010)01-0023-6 G aN基发光二极管外量子效率研究进展冯异 (西安中为光电科技有限公司，陕西西安710065) 摘要：近年来，GaN基发光二极管发展迅猛。但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径：生长分布布喇格反射层(DBR)结构，表面粗化技术，异性芯片技术，采用光子晶体结构，倒装芯片技术，激光剥离技术，透明衬底技术等。关键词：发光二级管：外量子效率中图分类号：TN304 文献标识码：A 0023 DOI：10．3788／0MEI of of Diodes EnhancementtheExternalQuantum GaN-based Efficiency Emitting Light Yi FENG View Co．Ltd．，Xian Ⅸi锄ZoomOptoelectronicsScienceTechnology710065，China) ofGaN-LED itsluminous tilethemain in AbSlracl：Inresent development israpid，but efficiency problems years，the wide in area．Several toenhancetheexternal ofLEDaredis— efficiency applicationlighting approaches quantum as ofdistributed struc— cussed，such crysml growth Braggreflector(DBR)，surface lift-offand substrate ture，flip--chip，surfacetransparenttechnology． diodes；external Keywords：lightemitting quantumegiciency 而成为新一代照明光源，然而，目前仍存在发光效 1 引言率和发光亮度不高、成本高、可靠性等问题，从而自从日亚公司利用荧光粉技术制造出第一支白制约了它迈向照明及其它领域的速度。目前，商用光LED以后。人们看到了固体光源取代普通照明的白光LED的发光效率只有70一80lIn厢，其发光效率希望。专家预计，LED未来将取代白炽灯、荧光灯还比较低。LED作为一种光源，衡量它的一个重要 _号詈裟≠叫呈曼万方数据