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cnt-fed背光源中支撑体高度的优化研究 optimization investigation of spacer height in cnt-fed backlight unit
第29卷第4期 光 电 子 技 术 V01．29No．4
2009年12月 0PTOELECTRoNICTECHNOI，OGY Dec．2009
．产q^，ppppq
％研究与试制≮
崎一一一一p一，{
CNT—FED背光源中支撑体高度的优化研究。
段 丽，叶 芸，陈 勇，郭太良
(福州大学物理与信息工程学院．福州350002)
摘 要：利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT—FED)背光
源原型器件，研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响，实验表明：支撑体高度增加，开
启电压随之增加；达到同样的发射电流密度，支撑体越高，亮度也越高。支撑体高度为1000／am和
2 000
gm时，CNT—FED背光源发射性能较好，在电流密度为4mA／cm2情况下，支撑体高度为
1 800 000 100
000／am时，亮度为1cd／m2；支撑体高度为2tim时，亮度为3cd／m2。选用支撑体高度
为2 000
000／am，制备出86．4cm液晶平板显示器(I，CD)用CNT—FED背光源，亮度最高可达8
cd／m2，发光均匀性为82％，稳定发射30h，发射电流无明显衰减。
关键词：碳纳米管；场发射；背光源
中图分类号：TN383+．1文献标识码：A
of inCNT-FED
OptimizationInvestigationSpacerHeight
Unit
Backlight
DuanLi，YeYun，Chen
Yong，GuoTailiang
and 350002，CHN)
(Collegeof Information
Physics Engineering，FuzhouUniversity，Fuzhou
carbonnanotube—fieldemission unitwas
Abstract：The pre—
display(CNT—FED)backlight
method．The betweenthe of andemission
paredbyscreen—printing relationship heightspacer
characteristicsof(：NT—FEDwasstudied．Itwasfoundthattheemissioncharacteristicsof(：NT—
the
FEDwereaffected of turnedon and onthe
by heightspacer．The voltagebrightnessdepended
fieldemissiontestsindicatedthatemissioncharacteristicsofCNT—FEDisbet—
spacerheight．The
teratthe ofl 000
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