ggnmos叉指宽度与金属布线对esd防护性能的影响 effects of finger width and metal routing of ggnmos on esd protection.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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ggnmos叉指宽度与金属布线对esd防护性能的影响 effects of finger width and metal routing of ggnmos on esd protection.pdf

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ggnmos叉指宽度与金属布线对esd防护性能的影响 effects of finger width and metal routing of ggnmos on esd protection

第33卷第2期固体电子学研究与进展 V01．33，No．2 2013年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr．，2013 GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD 防护性能的影响+ 梁海莲1’2董树荣2顾晓峰r峄李明亮2韩雁2 (1轻工过程先进控制教育部重点实验室，江南大学电子工程系，江苏，无锡，214122) (2浙江大学微电子与光电子研究所，杭州，310027) 2012—09—25收稿，2012—10—18收改穑于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少，设计了不同的实验对此开展对比分析。首先，基于0．5pm 件；其次，通过传输线脉冲测试，分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(j。。)的影响，结果表明，在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高Jt2；最后，比较了平行式与交错式两种金属布线方案对J。：的影响，结果表明，平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。关键词：栅接地N型金一氧化物半导体场效应晶体管；静电放电；双极型一互补型金属氧化物半导体一双扩散金属氧化物半导体工艺；叉指；金置布线；失效电流中图分类号：TN306文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2013)02—0194-05 Effectsof WidthandMetal Finger Routing ofGGNMOSonESDProtection LIANGHailianl’2DONG GU LI HANYan2 Shuron92Xiaofen91Minglian92 ProcessControl Electronic Advanced for of of (1KeyLaboratoryof LightIndustry(MinistryEducation)，Department University，Wuxi，Jiangsu，214122，CHN) Engineering，Jiangnan (ZInstituteofMicroelectronicsand Optoelectronics，Zhejiang havebeen usedforelectrostatic NMOS(GGNMOS)devices Abstract：Gate—grounded widely duetotheir withCMOS discharge(ESD)protectionmanufacturingcompatibility process．How— littleresearchhasbeendonefortheeffectsof of and width，number ever，relatively finger fingers met