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2017-08-22 发布于上海
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glsi钨插塞cmp碱性抛光液组分优化的研究 study on alkaline slurry composition optimization in glsi tungsten plug cmp.pdf

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glsi钨插塞cmp碱性抛光液组分优化的研究 study on alkaline slurry composition optimization in glsi tungsten plug cmp

半导体先进制造技术 AdvancedSemiconductor ManufacturingTechnologies DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．01．007 GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究林娜娜1，邢哲2，刘玉岭1，孙鸣1，刘利宾1 (1．河北工业大学微电子研究所，天津300130； 2．华润华晶微电子有限公司，江苏无锡214061) 摘要：钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理；接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO，水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W．CMP速率的影响。最后通过正交优化实验，确定抛光液最优配比为y(纳米SiO，水溶胶)：V(去离子水)=l：l，氧化剂体积分数为20 mL／L，表面活性剂体积分数为20mL／L时，此 mL／L，pH调节剂体积分数为4 时抛光液的pH值为10．36，获得的去除速率为85nm／min，表面粗糙度为0．20am。关键词：钨插塞；化学机械抛光；碱性抛光液；去除速率；表面粗糙度中图分类号：TN305．2文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2012)01—0033—04 onAlkaline inGLSI Study SlurryCompositionOptimization CMP Plug Tungsten Lin Libinl Zhe2，Liu 1，Liu Nanal，Xing Yulin91，SunMing (1．Institute ofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China； China 2．Wuxi ResourcesMicroelectronics Huajing 214061，China) Co．，，Ltd．，Wuxi mechanical isoneof inthe Abstract：Chemical planarization(CMP)tungstenplug keyprocesses scaleof with interconnect alkalinebase giantlarge integrated(GLSl)circuitcopper fabrication．Using mechanismo