ge组分对sige hbt直流特性的影响 effect of ge content on dc characteristics of sige hbt.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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ge组分对sige hbt直流特性的影响 effect of ge content on dc characteristics of sige hbt.pdf

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ge组分对sige hbt直流特性的影响 effect of ge content on dc characteristics of sige hbt

第28卷第4期固体电子学研究与进展 VoL28，No．4 OFSSE Dec．．2008 2008年12月 RESEARCHPROGRESS Ge组分对SiGeHBT直流特性的影响。张永1 李成1H 赖虹凯t 陈松岩1 康俊勇1 成步文2王启明1’2 (1厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，厦门，361005) (2中国科学院半导体研究所，集成光电子国家重点实验室，北京，100083) 2007—06—12收穑，2007—09-05收改穑摘要：制作了基区Ge组分分别力0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了较大的基极复合电流，但减小了总的基极电流，提高了发射结的注入效率，电流增益成倍地提高。Ge组分从0．20增加到0．23，HBT的最大直流电流增益从60增加到158，提高了约 2．6倍。关键词：锗硅合金；异质结双极型晶体管；锗组分；直流特性中图分类号：TN469文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2008)04—479—04 ofSiGeHBT EffectofGeContentonDCCharacteristics ZHANG LI LAI CHEN KANG Yon91Chen91Hongkail Songyanl Junyon91 CHENBuwen2WANG Qimin91’2 PhotonicsResearch (1Semiconductor ofPhysics·XiamenUniversity， Center，Department Xiamen。361005．CHNl Semiconductors，Chineseof (2StateLab．onIntegrated of Academy Key Optoelectronics，Institute Sciences，Beijing，100083，CHN) double—mesaSiGe Ge Abstract：Multi—finger heterojunctionbipolar to havebeenfabricated．WithalittleincreaseofGecontentfrom0．20 contentof0．20and0．23 ofrecombinationcur— currentincreasesasmuchas2．6 theratio 0．23，the gain times．Although of to ofminorcarr