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gan基led电流分布的模拟 simulation and optimization of current distribution in gan-based leds
量孑叶技2010年第23卷第8期
Electronic
Sci．Teck／Aug．15．2010
GaN基LED电流分布的模拟
刘 毅，赵广才，李培成
(西安电子科技大学技术物理学院，陕西西安710071)
内的电流分布，得到电流密度与L的关系曲线，发现减小电流扩展长度L可提高电流的均匀性。模拟了5种不同电极
结构的lmillx1Inn3功率LED，发现五插指电极结构的电流分布最均匀。
关键词GaN；LED；电流分布；电极结构
中图分类号TN304．2+3文献标识码A 文章编号1007—7820【2010)08—043—04
and ofCurrent in LEDs
Simulation DistributionGaN-based
Optimization
Liu Peixian
Yi，Zhao
Guangcai，Li
ofTechnical
(School University，Xi’an710071，China)
Physics，Xidian
AbstractElectrical ofa simulatedwiththesoftwareof
propertiesLED(1ightemittingdiode)is SILVACO，by
two-dimensionalfiniteelementmethod．rnlecurrentdistributionsofthreeLEDsofdifferentsizeare
using compared．
and betweenthecurrent andLis indicatesthatcurrent callbeim·
the
relationship density found，which uniformity
thecurrent differentkindsof LEDswitha sizeoflmill×
provedbyreducing expansionlength(L)．Five power chip
1min different are and electrodestructure
andwith electrodestructuressimulated the is
compared，andoptimal
found．
KeywordsGaN；LED；current structure
spreading；electrode
GaN系材料是重要的Ⅲ一V族化合物半导体材种不同结构的1mmX1mm功率LED的电流均匀性，
料，GaN系发光二极管(LED)是发展固态照明、实现得到最优的电极结构设计。
人类照明革命的关键性光源，具有广泛的应用前景。
1 LED器件结构
目前商品化的LED生产主要采用金属有机物化学气
相沉积(MOCVD)的方法在蓝宝石衬底上外延得到。
由于其衬底蓝宝石为绝缘
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