gdo存储层中氧含量及掺氮对monos存储器特性的影响 effects of oxygen content and nitrogen incorporation in gdo charge storage layer on characteristics of monos memory.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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gdo存储层中氧含量及掺氮对monos存储器特性的影响 effects of oxygen content and nitrogen incorporation in gdo charge storage layer on characteristics of monos memory.pdf

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gdo存储层中氧含量及掺氮对monos存储器特性的影响 effects of oxygen content and nitrogen incorporation in gdo charge storage layer on characteristics of monos memory

第33卷第1期固体电子学研究与进展 V01．33，No．1 2013年2月 OFSSE Feb．，2013 RESEARCH＆PROGRESS GdO存储层中氧含量及掺氮对 MONOS存储器特性的影响李育强刘璐朱剑云徐静平“ (华中科技大学光学与电子信息学院，武汉，430074) 2012—08-17收稿，2012—10-18收改稿研究了GdO。中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明，含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少，且界面处存在较多Gd—Si键，导致界面态密度增加，因而存储特性欠佳；引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱，并能提高介电常数、减少界面缺陷，因此GdON样品表现出好的存储特性：较大的存 V／1 储窗口(士13 S的编程／擦除电压下，存储窗口4．1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105 循环编程／擦除后，存储窗口几乎不变)。关键词：金属一氧化物一氮化物一氧化物硅存储器；存储特性；氧化钆；氮氧化钆 305．3 中图分类号：TN389；TN 文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2013)01—0017—05 Effectsof Contentand Oxygen NitrogenIncorporation lnGdO onCharacteristics Charge Layer Storage ofMONOS Memory LI LIULuZHU XU Yuqiang JianyunJingping (Schoolof andElectronic Science Optical Information，HuazhongUniversityof Technology，Wuhan，430074，CHN) with Abstract：The memoryGdO，or thereactive thein— GdONas fabricated method，and layer(CSL)isby sputtering chargestorage contentand inCSLontheMONOS fluencesofdifferent memory oxygen nitrogenincorporation are resultsshowthatGdOCSL in characteri