cmp加工过程去除率的影响因素研究 study on the effecting factors of the removal rate during cmp process.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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cmp加工过程去除率的影响因素研究 study on the effecting factors of the removal rate during cmp process.pdf

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cmp加工过程去除率的影响因素研究 study on the effecting factors of the removal rate during cmp process

CMP加工过程去除率的影响因素研究周国安，柳滨，王学军，种宝春 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘要：CMP的加工过程，是对晶圆表面进行全局平坦化的过程，去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等，综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率，优化平坦化效果。而且还能提高生产效率。关键字：全局平坦化；化学机械抛光；下压力；抛光盘；抛光液中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1004—4507(2008)01—0034—04 onthe of FactorstheRemovalRate Study Effecting CMPProcess During ZHOU Bao-chun Guo—an，LIUbin，WAMG Xue-jun，CHONG 45thResearchInstituteofCETC，East me Yanjiao，Beijing101601，China) Abstract：CMPisa to thesurfaceofthewafer．Therateofremovalisthe ofthe processplanarize key whole oftheremovalisthedown of andcarrier、 process．Impact pressure、thespeedPolishingplaten kindof andSO011．ToconsideraUofthesefactorscan material slurry get temperature、thepolishing removalrate also reasonably，tooptimizeplanarization’Sresult，butimproveproductionefficiency． mechanical Keywords：Globalplanarization；chemicalpolishing；downpressure；polishingplaten； slurry． mechanical 1引言 mM开发了化学机械平坦化(chemical 多层金属技术早在20世纪70年代就已经出世纪90年代以后高密度半导体制造中平坦化的标准。现，但是随之而来的较大的金属层表面起伏成为亚微米图形制作的不利因素。20世纪80年代后期，哪种技术，去除率都是晶片抛光效果的十分重要的收稿日期：2007．12-28 作者简介：周国安(1981．)，男，河南信阳人，工学硕士，现主要从事半导体专用设备研究。 ⑩(总第156期) 万方数据 ·半导体制造