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2017-08-21 发布于上海
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gan肖特基sit的monte carlo模拟 simulation studies of gan-based schottky barrier sit by monte carlo approach.pdf

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gan肖特基sit的monte carlo模拟 simulation studies of gan-based schottky barrier sit by monte carlo approach

第27卷第1期固体电子学研究与进展 V01．27，No．1 2007年2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．，2007 矿、p。p、ppppp。^≯、、’呻，％器件物理与器件模拟≮ ^‰《叩p一《8、f。_n《s、c}}、《A0 GaN肖特基SIT的MonteCarlo模拟郭宝增师建英宫娜 (河北大学电子信息工程学院，河北保定，071002) 2005一04—22收稿，2005一07一04收改稿摘要：用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(sIT)的特性，给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性．即类三极管特性。当yGs=o，yos=35V时，漏源电流为47A／cm，跨导为300mS／mm，电流截至频率为150GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。关键词：蒙特卡罗方法；静电感应晶体管；氮化镓中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2007)01一013一05 SimulationStudiesofGaN—based BarrierSIT Schottky by MonteCarlo Approach GUO SHI GONGNa BaozengJianying I 屺ozkge毋Ezectromc彻dnjFormational Transistor Abstract：Westudied ofGaN—based barrierStaticInduction properties Schottkey electric (SIT)thefull—bandensembleMonteCarlo Thedistributionsofthe by approach． electricfield，andelectronconcentrationin SITare The potential， presented．output characteristicsobtainedwithⅣIonteCarlo shownon—saturatedcharacteristics．thatis， approach characteristicsoftriode—like．At currentis yGs—OVandyDS一35V，thedrain—source 47A／cm。 is transconductance300ms／mm，andcurrentcutoff is150GHz．Thesimulationresults