gan功率mmic背面通孔工艺优化及可靠性分析 via-hole etch process optimization and reliability analysis for gan power mmic.pdfVIP

下载本文档

2
0
约 5页
2017-08-22 发布于上海
举报
版权申诉

gan功率mmic背面通孔工艺优化及可靠性分析 via-hole etch process optimization and reliability analysis for gan power mmic.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

gan功率mmic背面通孔工艺优化及可靠性分析 via-hole etch process optimization and reliability analysis for gan power mmic

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析刘海琪王泉慧焦刚任春江陈堂胜南京电子器件研究所，南京，210016 2011-05-08 2011-06-03 摘要：介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法，并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法，减薄圆片至75μm左右，保持片内不均匀性在4％以内；利用ICP对基于SiC衬底的GaN 功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化，减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3mΩ，平均电感值为17.2nH;对通孔样品在0.4A工作电流175℃节温下进行了工作寿命试验，200h后通孔特性无明显退化。背面通孔；氮化镓/碳化硅；ICP刻蚀;可靠性 TN304;TN306 A 1000-3819(2011)05-0438-04 Via-holeEtchProcessOptimizationandReliabilityAnalysis forGaNPowerMMIC LIUHaiqi WANG Quanhui JIAOGang RENChunjiang CHENTangsheng 439 440 @@[1]李效白.砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路 [M].北京：科学出版社，1998:242-251. @@[2] HopkinsJ,NichollsG,LeaL.Plasmasourcesfor highrateetchingofSiC[C].SurfaceTechnologySys templc,Newport,Wales,2010. forDABapplication[C].Solid-stateandIntegrated @@[9] ItaliaA,RagoneseE,PalmisanoG.Digitallycon CircuitTechnology,2006:1766-1768. trolledlinear-in-dBvariable-gainamplifierforhigh @@[4] ShojiOtaka,GakuTakemura,HiroshiTanimoto.A frequencyapplications[C].Circuits,DevicesSys low-powerlow-noiseaccuratelinear-in-dBvariable tems,2007:409-414. gainamplifierwith500MHzbandwidth[J].IEEEJ Solid-stateCircuit,2000,35(12):1942-1948. 方飞(FANGFei) 男，1986年生， @@[5] PanTzu-Wang,AbidiAsadA.Awide-handCMOS 2008年毕业于天津大学信息学院，获得 readamplifierformagneticdatastoragesystems[J]. 学士学位，现为复旦大学专用集成电路 IEEEJSolid-stateCircuit,1992,27(16):863-873. 与系统国家重点实验室研究生，主要从 @@[6] GilbertBarrie.Variablegainamplifiercontrolledby 事模拟集成电路方面的研究。 ananalogsigna