cmos宽带可编程增益低噪声放大器 cmos wide band programmable gain low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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cmos宽带可编程增益低噪声放大器 cmos wide band programmable gain low noise amplifier.pdf

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cmos宽带可编程增益低噪声放大器 cmos wide band programmable gain low noise amplifier

第30卷第2期固体电子学研究与进展 V01．30，No．2 OFSSE Jun．，2010 2010年6月 RESEARCHPROGRESS CMOS宽带可编程增益低噪声放大器周春媛。闵昊 (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203) 2009一lo—ll收穑．2009一ll一27收改稿 MHz)可编程增益低噪声摘要：给出了一种可应用于中国移动多媒体广播(CMMB)调谐器的宽带(470～860 mm2(不包括ESD 放大器。该电路在UMCo．18脚RFCMOS工艺下实现，芯片面积为o．37 pad)。芯片测试结果表明，在1．8V的电源电压下功耗为30．2mW，该电路可实现一6．8～32．4dB的增益动态变化范围，o．5dB步长， dB。最高增益下单端信号噪声系数小于3．8 关键词：互补金属氧化物半导体；中国移动多媒体广播；低噪声放大器；可编程增益放大器文献标识码：A 文章编号：l000—3819(2010)02一0228—06 中图分类号：TN432；TN722．3 CMOSWideBand GainLowNoise Programmable Amplifier ZHOU MINHao Chunyuan (ASJC＆曲船辨S地把K掣厶6Dmfo删，F“如nU，z而Pify，S^口飑占^4i，201203，CHⅣ) awideband(470～860 lownoise Abstract：Thispaperproposes MHz)programmabLegain ChinaMobileMultimedia circuitisfabri— amplifier(LNA)for withthe areaofO．37 ESD catedinUMC RFCMOS mm2(excluding O．18弘m technologychip mWfrom1．8V circuitrealizes consumes30．2 supply．The dynamicrange pads)and power gain dBto dBwhichcouldbefinetunedO．5dB sin— from一6．8 32．4 by perstep．Noisefigure(ⅣF)of ended isbelow3．8dBat gain． gle signal highest