gan薄膜表面形貌与aln成核层生长参数的关系 relation between surface morphology of gan film and growth parameters of aln nucleation layer.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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gan薄膜表面形貌与aln成核层生长参数的关系 relation between surface morphology of gan film and growth parameters of aln nucleation layer.pdf

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gan薄膜表面形貌与aln成核层生长参数的关系 relation between surface morphology of gan film and growth parameters of aln nucleation layer

第31卷第l期固体电子学研究与进展 V01．31，No．1 2011年2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．，2011 寄、s9‘p≯、≯、≯、≯、≯。o 气宽禁带半导体乞畸p一一p-n-d、Fo GaN薄膜表面形貌与AIN成核层生长参数的关系倪金玉” 李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海 (O-片集成电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016) 2010—09—30收稿．2010—1I-09收改稿摘要：采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AIN为成核层的GaN薄膜，研究了成核层生长时三甲基铝 (TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明，高质量的GaN薄膜只能在高TMAI流量下获得，采用充足的TMAI源才能形成满足需要的AIN成核点，这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。关键词：氮化镓；金属有机物化学气相淀积；氮化铝成核层中图分类号：TN304．2文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)01-0009—04 RelationbetweenSurface ofGaNFilmand Morphology GrowthParametersofAlNNucleation LayerT NI LI LI DONGXunZHANG JinyuZhonghuiLiang Yongmei KONGYuechan Wenhai XUXiaojun JIANG (National ofMonolithic CircuitsandModules， KeyLaboratory Integrated ElectronicDevices Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) this batchofGaNfilmswithA1Nnucleationwas met— Abstract：In paper，a layer grownby chemical effectof ofA1Nnude— alorganic vapordeposition．The ation thesurface ofGaNfilmwas results that on showed layer morphology investigated．The GaNfilmwasobtainedwith TMAlfluxcondition．Itisconsideredthat highquality high adequate A1N TMAIfluxis toform nucleationsites，whichisa forthe necessaryrequir