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2017-08-21 发布于上海
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cmos电路中的闩锁效应研究 research on cmos latchup

第7卷，第3期电予与封装总第47期 voI．7．No．3 ELECTRoNICSPAC量泌G髓qG2007年3月电路竣’计 CMOS电路中的闩锁效应研究牛征 (无锡牮润矽科微电子有限公澎，江苏无锈214861) 摘要：问锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了喇Os结构中的问镀效应的起因，提取了爆于分析闩锁效应的集总器件模型，给出了产生闩锁效应的必要奈件，列举了闷锁效应的几种测试方法。最后，介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。关键谰：阕锁效应；寄囊双极晶露管；集总器件模型；黢毽设谤中图分类号：TN402 文献标识码：A 弛戳删ch触CMOS L魏tchup N】叮动eng (搬删强级盘震跚掰愆嚣＆搬￡∞C务．，D曩，锻接i2l∞6l，C瑰撅聪) o藏C酝oSst礴ctu诧is l采幽毪p Abst摊ct：L虢陡雌辍a曲iq珏i豫ls≯嘲e越i蕤辑C。l纛壕lsp鞠er，馥$feas雠of wmchisused me condition ex仃acted；menecessary aIlalyz酣；melumpedcompoI贼lt fbr觚alyzinglatchup，is atlastsomefofthe fort重le of is for isenumerated；and way way producelatchupgiVen；也etesting latchup isint蚤oduced． latcbllpl，feVe矬t泌n KeywOrds：latchup；parasiticbipolartransistor；Iumpedcomponem；layout c (SR)，如图2。 l 引言最初的几代M0s工艺仅提供NM0s器件，而随蓉c酝0s技术时代的到来，一个新的闷题谯随之诞生，这就是闩锁效应(Latchup)。闩锁效应是指在芯片的电源和地之间存在一个低阻抗的通路，产生很大的电流，导致电路无法正常工作，攥至烧毁电路。下文将对这一现象做具体的分析。图1 N阱反相器纵向结构图 2 闩锁效应的原理可以看出，在图2中：我们以一个最基本的N阱cMOs反相器为例。其体管；纵向结构如图l所示。 (2)每个双极型晶体管的基区必然与舅一个晶在形成CMos反相器结构的周时，也必然形成幽体管的集电区相连接；寄生双级晶体管构成的PNPN器件，即可控硅器件 (3)由于N阱和衬底均有